[发明专利]倒装芯片封装及半导体芯片封装

权利要求书

1.一种倒装芯片封装，其特征在于，该倒装芯片封装包含：

封装载体，具有上表面及下表面；

半导体裸芯片，包含裸芯片面与裸芯片边缘，该半导体裸芯片倒置于该封装载体的该上表面，其中，该裸芯片面上设置多个接合焊盘；

重布线层结构，位于该半导体裸芯片与该封装载体之间并直接接触该裸芯片面，该重布线层结构包含重新布局金属层，其中，该重新布局金属层中的至少一部分凸出于该裸芯片边缘；以及

多个凸点，排布于该重布线层结构之上，该多个凸点用以将该封装载体电性连接于该半导体裸芯片。

2.如权利要求1所述的倒装芯片封装，其特征在于，该封装载体为基板，该基板包含两金属布线层，该两金属布线层分别排布于该封装载体的该上表面与该下表面。

3.如权利要求2所述的倒装芯片封装，其特征在于，该两金属布线层通过多个金属穿孔电性连接，该多个金属穿孔通过机械式钻孔方法形成于该封装载体中。

4.如权利要求1所述的倒装芯片封装，其特征在于，该重新布局金属层重新分布位于该半导体裸芯片的该裸芯片面上的该多个接合焊盘，以形成多个外扩接合焊盘，以及该多个凸点分别设置于该多个外扩接合焊盘之上。

5.如权利要求1所述的倒装芯片封装，其特征在于，更包含底胶，该底胶位于该重布线层结构与该封装载体之间。

6.如权利要求1所述的倒装芯片封装，其特征在于，更包含胶体，该胶体包覆该半导体裸芯片。

7.如权利要求1所述的倒装芯片封装，其特征在于，该封装载体为导线架。

8.如权利要求1所述的倒装芯片封装，其特征在于，设置于该重布线层结构上的该多个凸点具有0.15-0.3mm的凸点间距。

9.如权利要求1所述的倒装芯片封装，其特征在于，该半导体裸芯片封装具有超过300个输入输出引脚。

10.如权利要求1所述的倒装芯片封装，其特征在于，该重布线层结构更包含绝缘层及防焊层。

11.一种半导体芯片封装，其特征在于，该半导体芯片封装包含：

半导体裸芯片，包含多个接合焊盘，该多个接合焊盘设置于该半导体裸芯片的裸芯片面上；

胶体，用以包覆该半导体裸芯片的一部分；

重新分布层，覆盖该裸芯片面及该胶体的一部分并直接接触该裸芯片面，用以重新分布，其中，该重新分布层外扩该多个接合焊盘；

多个凸点，位于该重新分布层之上；

基板，包含两金属布线层，该两布线金属层分别位于该基板的上表面与下表面，其中，该多个凸点设置于该上表面；以及

多个焊球，位于该基板的该下表面。

12.如权利要求11所述的半导体芯片封装，其特征在于，该两金属布线层通过多个金属穿孔互相电性连接，该多个金属穿孔通过机械式钻孔方法形成。

13.如权利要求11所述的半导体芯片封装，其特征在于，更包含底胶，该底胶位于该重新分布层与该基板之间。

14.如权利要求11所述的半导体芯片封装，其特征在于，位于该重新分布层上的该多个凸点具有0.15-0.3mm的凸点间距，以及位于该基板的该下表面的该多个焊球具有0.5mm的球间距。

15.一种半导体芯片封装，其特征在于，该半导体芯片封装包含：

半导体裸芯片，包含多个接合焊盘，该多个接合焊盘设置于该半导体裸芯片的裸芯片面上；

胶体，用以包覆该半导体裸芯片的一部分；

重新分布层，覆盖该裸芯片面及该胶体的一部分并直接接触该裸芯片面，用以重新分布，其中，该重新分布层外扩该多个接合焊盘；

多个凸点，位于该重新分布层之上；以及

导线架，其中该半导体裸芯片设置于该导线架之上。

16.一种半导体芯片封装，其特征在于，该半导体芯片封装包含：

封装载体，具有上表面及下表面；

外扩晶圆级装置，设置于该封装载体的该上表面；以及

底胶，该底胶位于该封装载体与该外扩晶圆级装置之间；其中，该外扩晶圆级装置包含

半导体裸芯片及重新分布层，该重新分布层位于该半导体裸芯片与该封装载体之间并直接接触该半导体裸芯片的裸芯片面，用于外扩该半导体裸芯片的多个接合焊盘。