[发明专利]注入方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括如下步骤：

提供半导体衬底；

在所述衬底中形成第一像素和第二像素；

在所述衬底的第一区中形成第一隔离特征，其中所述第一区在所述第一像 素和所述第二像素之间；

在所述衬底上形成蚀刻停止层；

在所述蚀刻停止层上形成硬掩膜层；

图形化所述硬掩膜层以包括开口；以及

通过所述开口向所述衬底中注入多种杂质，

其中图形化的所述硬掩膜层的所述开口在所述第一像素和所述第二像素 之间，并且，所述开口具有等于所述第一隔离特征的最大宽度的宽度。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，用第一杂质掺杂所述衬底， 并且所述第一像素和所述第二像素包括掺杂有第二杂质的信号感测区，其中所 述第一杂质和所述第二杂质是不同类型的杂质。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述信号感测区由掺杂了 与所述第二杂质不同类型的第三杂质的浅区保护。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，注入多种杂质的步骤包括： 在所述第一隔离特征下方的衬底区域中掺杂第四杂质以形成第二隔离特征，其 中所述第四杂质和所述第一杂质是相同类型的杂质，并且其中所述第二隔离特 征具有比所述衬底更高的掺杂浓度。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第二隔离特征具有从 1×10¹⁵原子/cm³到1×10¹⁹原子/cm³范围的掺杂浓度，并且所述衬底具有从1014 原子/cm³到10¹⁷原子/cm³范围的掺杂浓度。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，注入多种杂质的步骤包括： 用大于50KeV的注入能量和从1×10¹¹原子/cm²到1×10¹⁵原子/cm²的范围的剂 量水平注入硼离子。

7.一种制造半导体器件的方法，包括如下步骤：

在衬底中形成像素和器件；

在所述像素和所述器件之间形成第一隔离特征；

在所述衬底上形成多晶硅层；

在所述多晶硅层上形成硬掩膜层；

图形化所述硬掩膜层以形成能够操作以覆盖所述像素的所述硬掩膜层的 第一部分和能够操作以覆盖所述器件的所述硬掩膜层的第二部分以及位于所 述第一部分和所述第二部分之间的开口；以及

在所述第一隔离特征下方的衬底区域中注入多种杂质离子，由此形成第二 隔离特征，

其中，所述开口具有等于所述第一隔离特征的最大宽度的宽度。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，还包括：

在形成所述多晶硅层之前，在所述像素和所述器件上形成栅极电介质层； 以及

在注入所述杂质离子之后，移除所述第一部分和所述第二部分。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，还包括在移除所述第一部 分和所述第二部分之后形成栅极，其中将所述多晶硅层图形化以形成所述栅极 的多晶硅部分，并且将所述栅极电介质层图形化以形成所述栅极的栅极电介质 部分。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述栅极电介质层具有从 10埃到250埃范围的厚度，并且所述多晶硅层具有从300埃到5000埃的范围 的厚度，所述硬掩膜层具有从0.1μm到10μm的范围的厚度，分开所述硬掩膜 层的所述第一部分和所述第二部分的距离小于1μm。