[发明专利]磁头滑块的制造方法有效
申请号: | 200910145687.7 | 申请日: | 2009-05-15 |
公开(公告)号: | CN101887730A | 公开(公告)日: | 2010-11-17 |
发明(设计)人: | 上田国博;方宏新;王东 | 申请(专利权)人: | 新科实业有限公司 |
主分类号: | G11B5/31 | 分类号: | G11B5/31;G11B5/60;G11B21/21 |
代理公司: | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝传鑫 |
地址: | 中国香港新界沙田香*** | 国省代码: | 中国香港;81 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 磁头 制造 方法 | ||
1.一种磁头滑块的制造方法,该方法包括:
在磁头滑块的空气承载面上形成第一保护膜,所述磁头滑块形成有写入元件和读取元件中的至少任意一个;
在形成了所述第一保护膜的所述磁头滑块的所述空气承载面上形成用于控制该磁头滑块的飞行特性的凹凸部;
从形成了所述凹凸部的所述磁头滑块的所述空气承载面开始将所述第一保护膜的一部分除去,使该第一保护膜变薄;以及
在变薄后的所述第一保护膜上形成第二保护膜。
2.权利要求1所述的磁头滑块的制造方法,其中:
形成所述第一保护膜包括,在所述空气承载面上依次层积第一硅膜和第一类金刚石碳膜;
将所述第一保护膜的一部分除去包括,将所述第一类金刚石碳膜全部除去,再将所述第一硅膜的一部分除去,从而使该第一硅膜变薄。
3.权利要求2所述的磁头滑块的制造方法,其中:形成所述第二保护膜包括,在变薄后的所述第一硅膜上层积第二硅膜,再层积第二类金刚石碳膜。
4.权利要求3所述的磁头滑块的制造方法,其中包括:在层积所述第二硅膜之后、层积所述第二类金刚石碳膜之前,将所述第二硅膜的一部分除去使该第二硅膜变薄。
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