[发明专利]磁头滑块的制造方法有效

专利信息
申请号: 200910145687.7 申请日: 2009-05-15
公开(公告)号: CN101887730A 公开(公告)日: 2010-11-17
发明(设计)人: 上田国博;方宏新;王东 申请(专利权)人: 新科实业有限公司
主分类号: G11B5/31 分类号: G11B5/31;G11B5/60;G11B21/21
代理公司: 广州三环专利代理有限公司 44202 代理人: 郝传鑫
地址: 中国香港新界沙田香*** 国省代码: 中国香港;81
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摘要:
搜索关键词: 磁头 制造 方法
【说明书】:

技术领域

本发明涉及磁头滑块的制造方法,尤其涉及空气承载面上的保护膜的形成方法。

背景技术

在硬盘装置中,磁头滑块(以下称为滑块。)相对于记录媒体(硬盘或磁盘)以微小的空间飞行,读取来自记录媒体的数据,以及向记录媒体写入数据。

对于进行从记录媒体读取数据以及向记录媒体写入数据的磁头,必须在各种环境下防止磁头的腐蚀,并且对磁头与记录媒体的冲撞进行保护。因此,在滑块面向记录媒体的一面,即空气承载面上形成由类金刚石碳膜(DLC)等构成的保护膜。

但是,近年来随着记录媒体高记录密度化的进步,需要进一步减小滑块与记录媒体的距离。更准确地,意味着减小读取元件和写入元件与记录媒体的距离。因此,减小保护膜的膜厚度是有效的。但是由于保护膜形成在由研磨(lapping)所产生的凹凸的滑块表面上,因此其膜厚度容易受到凸凹的影响。在膜厚度小的部位,保护膜上容易产生小孔(pinhole),这种小孔是造成位于其下方的读取元件和写入元件受腐蚀的原因。因此,为了减小滑块与写入元件的距离而单纯地减小保护膜的厚度是困难的。

鉴于以上课题,专利文献1中公开了滑块的保护膜的形成方法。根据此方法,在滑块的空气承载面上依次层积硅(Si)膜和DLC膜。接着,以该状态进行飞行面的加工,之后先完全除去硅膜和DLC膜。飞行面的加工是指,在空气承载面上形成凹凸部,该凹凸部用于在驱动记录媒体时通过控制进入滑块和记录媒体之间的气流的流动来控制滑块的飞行特性。之后重新形成保护膜,并通过从倾斜方向照射离子束(ion beam)来除去保护膜的一部分。

可是,即使使用这种方法仍然无法形成耐腐蚀性优异的保护膜。据推测,这是因为虽然只想对硅膜和DLC膜进行蚀刻(etching),但是无论怎样都会在位于硅膜和DLC膜下方的写入元件和读取元件上留下蚀刻损伤,对元件的可靠性有影响。特别是今后为了进一步高记录密度化,需要更加降低写入元件和读取元件与记录媒体的距离,为了提高耐腐蚀性而增加保护膜厚度度的方式是困难的。

专利文献1:日本特开2007-26506号公报

发明内容

本发明的目的在于提供一种磁头滑块的制造方法,该方法可形成抑制膜厚度并且耐腐蚀性优异的保护膜。

根据本发明,磁头滑块的制造方法包括:在磁头滑块的空气承载面上形成第一保护膜,所述磁头滑块形成有写入元件和读取元件中的至少任意一个;在形成了第一保护膜的磁头滑块的空气承载面上形成用于控制磁头滑块的飞行特性的凹凸部;从形成了凹凸部的磁头滑块的空气承载面开始将第一保护膜的一部分除去使第一保护膜变薄;在变薄后的第一保护膜上形成第二保护膜。

形成凹凸部时需要保护写入元件和读取元件,因此形成第一保护膜。通过凹凸部的形成工序使第一保护膜受到了损伤因此先将其除去,但不是全部除去,而是只残留一部分。因此,可防止除去第一保护膜时有可能对写入元件和读取元件造成的损伤。残留的第一保护膜为变薄后的状态,但通过再次形成第二保护膜的工序,可形成可靠性高的保护膜。此外,由于先除去第一保护膜的一部分,因此能够容易地抑制最后的保护膜的膜厚度的增加。

因此,根据本发明,可以提供一种磁头滑块的制造方法,该方法可形成抑制膜厚度并且耐腐蚀性优异的保护膜。

附图说明

图1是表示本发明一个实施方式所涉及的滑块的立体图。

图2是表示图1所示的滑块沿图1中2-2线的剖视图。

图3是表示本发明的滑块的制造方法的流程图。

图4是表示晶圆的切断方法和长形条(row-bar)的研磨(lapping)方法的概念图。

图5是滑块的保护膜附近的局部截面图。

具体实施方式

首先,参照附图对作为本发明的对象的滑块进行说明。图1表示用本发明所制造的滑块的一个实施例的立体图。附图中,受到旋转驱动的圆盘状记录媒体(未图示)位于滑块21的上方。滑块21包括基板27和薄膜磁头部28。滑块21大致呈六面体形状,使六面中的一面与记录媒体相对。这一面称为空气承载面ABS。在滑块21的空气承载面ABS上形成用于控制滑块21的飞行特性的凹凸部13(飞行面),凸部包括:读写部(read-write)24、具有段差的导轨部(rail)25a、25b,其余部分为凹部26,其中,读写部24设置有薄膜磁头部28的写入元件11和读取元件12(参照图2)。

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