[发明专利]显示基板及具有该显示基板的显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种显示基板及具有该显示基板的显示装置。更具体地，本发明的实施例涉及用于液晶显示(LCD)装置的显示基板及具有该显示基板的显示装置。

背景技术

通常，液晶显示(LCD)面板包括显示基板、面对该显示基板的相对基板(opposite substrate)以及插设在显示基板和相对基板之间的液晶层，该显示基板具有薄膜晶体管(TFT)作为开关元件从而驱动像素。图像根据液晶材料的透光率而在LCD面板上显示，液晶材料的透光率根据施加到LCD面板的电压而改变。

显示基板包括TFT、连接到TFT的信号线、存储线、有机层和像素电极。有机层形成在具有信号线、TFT和存储线的绝缘基板上。像素电极形成在有机层上。存储电容器(Cst)由存储线、像素电极和有机层限定，该有机层插设在存储线和像素电极之间。存储线和像素电极用作彼此间隔开的电极，有机层用作电介质材料。

存储电容器的电容与存储线和像素电极之间的重叠面积成比例，并与有机层的厚度成反比。因此，为了增大像素的电容，可以加宽(widen)重叠面积和/或减小厚度。然而，加宽重叠面积通常伴随着存储线的宽度的增大，由此显示基板的开口率(aperture ratio)会降低并且显示质量会恶化。

发明内容

本发明提供了具有改进的电容和开口率的显示基板及显示装置。

本发明的附加特征将在随后的描述中阐述，并从该描述而部分地变得明显，或者可以通过实践本发明而习知。

本发明公开了一种显示基板，该显示基板包括第一开关元件、第一间隔物(first spacer)、第一像素电极、第一电容器电极和配向层(alignment layer)。第一开关元件连接到多条信号线。第一间隔物布置在第一开关元件上。第一像素电极与第一开关元件的漏极电极接触。第一像素电极连接到第一电容器电极。第一电容器电极布置在第一间隔物上。配向层布置在第一像素电极和第一电容器电极上。显示基板还可以包括与第一像素电极重叠的第一存储线。

本发明还公开了一种显示装置，该显示装置包括显示基板和面对该显示基板的相对基板。显示基板包括：第一开关元件，连接到第一像素电极；第一间隔物，布置在第一开关元件上；第一电容器电极，连接到第一像素电极并布置在第一间隔物上；以及第一配向层，布置在第一像素电极和第一电容器电极上。显示基板还可以包括与第一像素电极重叠的第一存储线。相对基板与显示基板结合以插入液晶分子。相对基板包括公共电极以及形成在公共电极上的第二配向层，该公共电极面对第一像素电极和第一电容器电极。

应当理解，上述一般的描述和下面详细的描述都是示范性和说明性的，并旨在提供对本发明的进一步解释。

附图说明

附图提供了对本发明的进一步理解并被并入和构成本说明书的一部分，附图示出了本发明的实施例，并与说明书一起用于解释本发明的原理。

图1为示出根据本发明第一示范性实施例的显示装置的平面图。

图2A和图2B分别为沿图1的IA-IA’和IB-IB’线的截面图。

图3A、图4A、图5A和图6A为示出图2A所示的像素区域的制造方法的截面图。图3B、图4B、图5B和图6B为示出图2B所示的像素区域的制造方法的截面图。

图7为示出根据本发明第二实施例的显示装置的平面图；

图8A和图8B分别为沿图7的IIA-IIA’和IIB-IIB’线的截面图。

图9A和图10A为示出图8A所示的像素区域的制造方法的截面图。图9B和图10B为示出图8B所示的像素区域的制造方法的截面图。

图11为示出根据本发明第三示范性实施例的显示装置的平面图。

图12A、图12B和图12C分别为沿图11的IIIA-IIIA’、IIIB-IIIB’和IIIC-IIIC’线的截面图。

图13为示出根据本发明第四示范性实施例的平面图。

图14A和图14B分别为沿图13的IVA-IVA’和IVB-IVB’线的截面图。

具体实施方式

在下文中参照附图更充分地描述本发明，附图中示出了本发明的实施例。然而，本发明可以以许多不同的形式实施并且不应被解释为限于这里阐述的实施例。而是，提供这些实施例使得本公开充分，并将本发明的范围充分传达给本领域技术人员。在附图中，为了清晰起见，层和区域的尺寸和相对尺寸可以被夸大。附图中相同的附图标记指代相同的元件。