[发明专利]光电元件有效
| 申请号： | 200910146213.4 | 申请日： | 2009-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN101931034A | 公开（公告）日： | 2010-12-29 |
| 发明（设计）人： | 谢明勋;王健源;姚久琳;林锦源 | 申请（专利权）人： | 晶元光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光电 元件 | ||
1.一种光电元件，至少包含：
半导体叠层，具有第一表面及第二表面；
第一透明导电氧化层，位于该半导体叠层的第一表面上，其中该第一透明导电氧化层具有至少一开口；以及
第二透明导电氧化层，填入该开口中并覆盖该第一透明导电氧化层，其中该第一透明导电氧化层与该第二透明导电氧化层中的任一层与该半导体叠层形成欧姆接触。
2.如权利要求1所述的光电元件，其中该第一透明导电氧化层与该第二透明导电氧化层包含相同的组成材料以及相异的折射率。
3.如权利要求1所述的光电元件，其中该第一透明导电氧化层与该第二透明导电氧化层包含相同的组成材料以及相异的结晶粒度尺寸。
4.如权利要求1所述的光电元件，还包含电极，位于该半导体叠层的第二表面上，其中该电极位置对应该第一透明导电氧化层的形成位置。
5.如权利要求1所述的光电元件，还包含电极，位于该第二透明导电氧化层上，其中该电极位置对应该第一透明导电氧化层的开口位置。
6.如权利要求1所述的光电元件，其中该第一透明导电氧化层与该半导体叠层形成欧姆接触，且该第二透明导电氧化层与该半导体叠层的结形成肖特基接触。
7.如权利要求1所述的光电元件，其中该第一透明导电氧化层与该半导体叠层形成肖特基接触，且该第二透明导电氧化层与该半导体叠层的结形成欧姆接触。
8.如权利要求1所述的光电元件，其中该第一透明导电氧化层与该第二透明导电氧化层形成欧姆接触。
9.如权利要求1所述的光电元件，其中该第二透明导电氧化层的上表面为粗化表面。
10.如权利要求1所述的光电元件，其中该第一透明导电氧化层与该第二透明导电氧化层的材料包含选自氧化铟锡、氧化铟、氧化锡、氧化镉锡、氧化锑锡、氧化锑锌与氧化锌所构成的群组的一种或多种材料。
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