[发明专利]光电元件

说明书

技术领域

本发明涉及一种光电元件，特别是涉及一种具有第一透明导电氧化层与第二透明导电氧化层的光电元件。

背景技术

发光二极管(light-emitting diode，LED)的发光原理是利用电子在n型半导体与p型半导体间移动的能量差，以光的形式将能量释放，这样的发光原理有别于白炽灯发热的发光原理，因此发光二极管被称为冷光源。此外，发光二极管具有耐久性高、寿命长、轻巧、耗电量低等优点，因此现今的照明市场对于发光二极管寄予厚望，将其视为新一代的照明工具。

图1为已知的光电元件结构示意图，如图1所示，已知的发光元件100，包含有基板10、位于基板10上的半导体叠层12，以及至少一电极14位于上述半导体叠层12上，其中上述的半导体叠层12由上而下至少包含第一导电型半导体层120、有源层122，以及第二导电型半导体层124。

于已知的光电元件100中，由于半导体叠层12的表面为平面，加上半导体叠层12与外部环境的折射率差异，因此有源层122所发出的光线容易形成全反射(Total Internal Reflection，TIR)。

不仅如此，已知光电元件100于运作时，电流由电极14导入半导体叠层12中，然而由于大多数电流是以最小路径流经半导体叠层12，造成半导体叠层12中电流分布不均匀的情形，亦使光电元件100的发光效率不佳。

此外，上述的光电元件100更可以进一步地与有源层元件组合连接以形成光电装置(optoelectronic apparatus)。图2为已知的光电装置结构示意图，如图2所示，光电装置200包含具有至少一电路202的次载体(sub-mount)20；至少一焊料(solder)22位于上述次载体20上，通过此焊料22将上述光电元件100黏结固定于次载体20上并使光电元件100的基板10与次载体20上的电路202形成电连接；以及，电性连接结构24，以电性连接光电元件100的电极14与次载体20上的电路202；其中，上述的次载体20可以是导线架(lead frame)或大尺寸镶嵌基底(mounting substrate)，以方便发光装置200的电路规划并提高其散热效果。

发明内容

本发明揭示一种光电元件，包含半导体叠层；第一透明导电氧化层，位于此半导体叠层上，其中此第一透明导电氧化层具有至少一开口；以及第二透明导电氧化层，覆盖上述第一透明导电氧化层；此外，上述的第二透明导电氧化层填入第一透明导电氧化层的开口中并且与半导体叠层相接触，其中第一透明导电氧化层与第二透明导电氧化层中的任一层与半导体叠层形成欧姆接触。

本发明亦揭示一种光电元件，包含半导体叠层、位于半导体叠层上的第一透明导电氧化层，其中第一透明导电氧化层具有至少一开口并与半导体叠层形成欧姆接触，以及覆盖于第一透明导电氧化层的第二透明导电氧化层，其中第二透明氧化层填入上述开口之中。

本发明更揭示一种光电元件，包含半导体叠层、位于半导体叠层上的第一透明导电氧化层，其中该第一透明导电氧化层具有至少一开口；以及覆盖上述第一透明导电氧化层的第二透明导电氧化层，其中第二透明导电氧化层填入上述开口之中并与半导体叠层形成欧姆接触。

本发明的主要目的在于提供一种光电元件，包含具有至少一开口的第一透明导电氧化层，通过第一透明导电氧化层形成多个开口的结构，提高光电元件的发光效率。

附图说明

图1为已知光电元件结构示意图。

图2为已知光电装置结构示意图。

图3为本发明实施例结构示意图。

图4A至图4D为本发明实施例制造流程示意图。

图5为本发明另一实施例结构示意图。

附图标记说明

100 光电元件    10  基板

12  半导体叠层  120 第一导电型半导体层

122 有源层              124 第二导电型半导体层

14  电极                200 光电装置

20  次载体              202 电路图案

22  焊料                24  电性连接结构

300 光电元件            30  半导体叠层

302 第一主要表面        304 第二主要表面

306 第一导电型半导体层  308 有源层

310 第二导电型半导体层  32  第一透明导电氧化层