[发明专利]半导体发光装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体发光装置，具体来说，涉及一种具有转换半 导体发光元件的发光波长的荧光体并层积多个基板而构成的半导体发光 装置。

背景技术

以往，在安装有半导体发光元件的半导体发光装置中，为了实现该 半导体发光装置的高亮度化(增大照射光量)而追求作为发光源的半导 体发光元件的高输出，由此，能够实现半导体发光元件的光转换效率的 高效化以及半导体发光元件的驱动功率的大功率化。

然而，以较大的功率驱动半导体发光元件的话，由于发光时的自身 发热，会使半导体发光元件自身的温度上升，从而产生光转换效率降低 以及发光寿命缩短等性能劣化的问题。因而，为了抑制由于发光时的自 身发热而引起半导体发光元件自身温度上升，采用了如下等散热结构： 将半导体发光元件安装在热传导率高的基板上，或者将安装有半导体发 光元件的基板再搭载于散热器等金属散热部件上。

然而，为了驱动半导体发光元件(发光)，由布线图案和电路部件(例 如阻抗、二极管、连接器等)构成的驱动控制电路是必须的，然而采用 了散热结构的上述半导体发光装置不具有这样的驱动电路，因而不能应 用在广泛的用途中。

为此，提出了具有良好的散热性能并且能够搭载驱动控制电路的半 导体发光装置。其如图8所示，是在半导体发光装置50中从下侧开始依 次设置散热用支撑薄膜51、底部基板52、绝缘性中间层53以及上部基 板54的多层结构。

绝缘性中间层53由绝缘层55和设于该绝缘层55的两个面上的绝缘 性粘接层56构成，上部基板54隔着一侧的绝缘性粘接层56位于绝缘性 中间层53的上侧，底部基板52隔着另一侧的绝缘性粘接层56位于绝缘 性中间层53的下侧，由铜箔等构成的散热用支撑薄膜51位于底部基板 52的下侧。

在上部基板54和底部基板52上分别设有导体层57，各导体层57 被绝缘性中间层53电绝缘。

在底部基板52、绝缘性中间层53和上部基板54中分别设有第一贯 通孔58、第二贯通孔59和第三贯通孔60，第二贯通孔59和第三贯通孔 60具有大致相同的大小，第一贯通孔58形成得比第二贯通孔59和第三 贯通孔60小。

在散热用支撑薄膜51上以夹设有粘合层61的方式载置有半导体发 光元件62，位于底部基板52的第一贯通孔58内的半导体发光元件62的 电极与底部基板52的导体层57通过接合线(bonding wire)63电连接。

在第一贯通孔58、第二贯通孔59和第三贯通孔60内部填充有密封 树脂67，从而将半导体发光元件62和接合线63树脂密封，所述密封树 脂67通过向透光性树脂64中混入荧光体65和透光性粒子66而形成。

由此，通过以散热用支撑薄膜51散发半导体发光元件62发光时的 自身发热，且通过含有石英玻璃粒子等比热容较大的透光性粒子66的密 封树脂67进行树脂密封，从而抑制半导体发光元件62的温度上升，并 且由于能够在上部基板54上配设驱动控制电路，因此能够紧密地配置半 导体发光元件62。此外，通过以向透光性树脂64中混入有荧光体65而 形成的密封树脂67对半导体发光元件62进行树脂密封，从而能够实现 可以放射出与半导体发光元件62的光源光的色调不同的光的半导体发光 装置50(例如，参照专利文献1)。

专利文献1：日本特开2007-150228号公报

然而，对于像上述结构的半导体发光装置那样，由多个基板层叠构 成的半导体发光装置，大多采用经由绝缘性粘接层进行贴合的结构，由 于该绝缘性粘接层会露出来，因而会产生将接合线焊接区域或接合线焊 接区域的上方污染以及紫外线使绝缘性粘接层劣化的问题。

其中，为了防止绝缘性粘接层露出来，可以考虑如下方法：使在基 板的贯通孔所形成的凹部中露出来的绝缘性粘接层的端部形成为比贯通 孔的内周面更向外侧凹陷的形状。例如图9示出了应用上述现有结构的 情况。

然而，在向绝缘性粘接层56的凹陷部分填充密封树脂67的时候， 有时密封树脂67并未流入而形成有空气层。该空气层在热固化时被低粘 度化了的密封树脂67挤出，从而在密封树脂67内形成气泡70。此时， 由于密封树脂67的热固化是逐渐进行的，因此密封树脂67会在气泡70 被排出到密封树脂67外之前被固化，所以有时气泡70会滞留在密封树 脂67内。