[发明专利]发光元件无效
申请号: | 200910146631.3 | 申请日: | 2009-06-03 |
公开(公告)号: | CN101840976A | 公开(公告)日: | 2010-09-22 |
发明(设计)人: | 郭武政;翁瑞坪;林孜翰 | 申请(专利权)人: | 采钰科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 姜燕;陈晨 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 元件 | ||
1.一种发光元件,包括:
一第一基底,包括一半导体材料或一陶瓷材料;
一第一沟槽,自该第一基底的一第一侧向相反的一第二侧延伸,且自该第一基底的一第一表面向相反的一第二表面延伸;
一第二沟槽,自该第一侧向该第二侧延伸,且自该第一表面向该第二表面延伸;
一发光装置,设置在该第一表面上,该发光装置具有一第一电极及一第二电极;
一第一导电层,位于该第一沟槽的一第一侧壁上且电性连接至该第一电极;以及
一第二导电层,位于该第二沟槽的一第二侧壁上且电性连接至该第二电极。
2.如权利要求1所述的发光元件,其中该第一沟槽位于该第一基底的一第一角落。
3.如权利要求1所述的发光元件,其中该第二沟槽位于该第一基底的一第二角落。
4.如权利要求1所述的发光元件,其中该发光装置的一出光表面的一法向量大抵平行于该第一基底的该第一表面的一第一法向量。
5.如权利要求4所述的发光元件,还包括:
一第二基底;
至少一第一导电结构,位于该第二基底的一表面上;以及
至少一第二导电结构,位于第二基底的该表面上;
其中:
该第一基底设置在该第二基底上;
该第一法向量大抵垂直于该第二基底的该表面的一第二法向量;
所述第一导电结构与该第一导电层直接接触;以及
所述第二导电结构与该第二导电层直接接触。
6.如权利要求5所述的发光元件,其中至少部分的所述第一导电结构或所述第二导电结构分别位于该第一沟槽或该第二沟槽中。
7.如权利要求5所述的发光元件,其中该第一导电层或该第二导电层分别完全填满该第一沟槽或该第二沟槽。
8.如权利要求1所述的发光元件,其中该第一沟槽或该第二沟槽完全贯穿该第一基底。
9.如权利要求1所述的发光元件,其中该第一沟槽的该第一侧壁或该第二沟槽的该第二侧壁大抵垂直于该第一表面。
10.如权利要求1所述的发光元件,其中该第一沟槽的该第一侧壁或该第二沟槽的该第二侧壁倾斜于该第一表面。
11.如权利要求1所述的发光元件,其中该第一沟槽的该第一侧壁或该第二沟槽的该第二侧壁自该第一表面朝该第二表面倾斜且自该第二表面朝该第一表面倾斜。
12.如权利要求1所述的发光元件,其中该发光装置设置于一凹陷的底部上,该凹陷自该第一基底的该第一表面向下延伸。
13.一种发光元件,包括:
一第一基底;
一第一沟槽,自该第一基底的一第一侧向相反的一第二侧延伸,且自该第一基底的一第一表面向相反的一第二表面延伸;
一第二沟槽,自该第一侧向该第二侧延伸,且自该第一表面向该第二表面延伸;
一发光装置,设置在该第一表面上,该发光装置具有一第一电极及一第二电极;
一第一导电层,位于该第一沟槽的一第一侧壁上且电性连接至该第一电极;以及
一第二导电层,位于该第二沟槽的一第二侧壁上且电性连接至该第二电极。
14.如权利要求13所述的发光元件,还包括:
一第二基底;
至少一第一导电结构,位于该第二基底的一表面上;以及
至少一第二导电结构,位于第二基底的该表面上;
其中:
该第一基底设置在该第二基底上;
该第一法向量大抵垂直于该第二基底的该表面的一第二法向量;
所述第一导电结构与该第一导电层直接接触;以及
所述第二导电结构与该第二导电层直接接触。
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