[发明专利]发光元件无效
申请号: | 200910146631.3 | 申请日: | 2009-06-03 |
公开(公告)号: | CN101840976A | 公开(公告)日: | 2010-09-22 |
发明(设计)人: | 郭武政;翁瑞坪;林孜翰 | 申请(专利权)人: | 采钰科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 姜燕;陈晨 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 元件 | ||
技术领域
本发明涉及发光元件,且特别涉及侧光(side view)式发光元件。
背景技术
发光二极管(LED)基于例如卓越的耐久性、低功率损耗、长工作寿命、无汞、高效能等特性,已成为广为使用的照明设备。
发光二极管元件可分为顶射式发光二极管(top view LEDs)及侧光式发光二极管(side view LEDs),取决于基底上的发光二极管芯片的出光方向。侧光式发光二极管可用作小尺寸液晶屏幕的光源,例如可用于手机(mobile phones)、个人数字助理(PDAs)、或笔记本电脑等。然而,侧光式发光二极管通常是以高分子材料封装。因此,散热问题将更趋严重。此外,传统侧光式发光二极管的电极位于设置有发光二极管芯片的基底的相反面上,造成侧光式发光二极管的封装体厚度增加,因而限制其应用。或者,侧光式发光二极管可通过形成反射层或反射结构以将所发出的光线转向至所需的方向。然而,这种发光二极管的封装体的尺寸仍过大。
因此,业界亟需改良的发光二极管元件。
发明内容
为了解决现有技术中存在的上述问题,本发明实施例提供一种发光元件,包括第一基底,包括半导体材料或陶瓷材料;第一沟槽,自第一基底的第一侧向相反的第二侧延伸,且自第一基底的第一表面向相反的第二表面延伸;第二沟槽,自第一侧向第二侧延伸,且自第一表面向第二表面延伸;发光装置,设置在第一表面上,发光装置具有第一电极及第二电极;第一导电层,位于第一沟槽的第一侧壁上且电性连接至第一电极;以及第二导电层,位于第二沟槽的第二侧壁上且电性连接至第二电极。
本发明实施例提供一种发光元件,包括第一基底;第一沟槽,自第一基底的第一侧向相反的第二侧延伸,且自第一基底的第一表面向相反的第二表面延伸;第二沟槽,自第一侧向第二侧延伸,且自第一表面向第二表面延伸;发光装置,设置在第一表面上,发光装置具有第一电极及第二电极;第一导电层,位于第一沟槽的第一侧壁上且电性连接至第一电极;以及第二导电层,位于第二沟槽的第二侧壁上且电性连接至第二电极。
对本发明实施例的具有“侧边电极”的发光元件而言,电性连接至发光元件的印刷电路板可由本来需设置于基底背面而改为设置于基底的侧面。因此,本发明实施例的发光元件的第二基底(或封装基底)由于设置于第一基底下,可使整体封装结构在第一基底的厚度方向上(即平行于第一基底的第一表面的法向量的方向)较薄,有助于增进其应用范围。
附图说明
图1A-图1E显示本发明实施例的发光元件的一系列工艺示意图。
图2A-图2F显示对应至图1的工艺剖面图。
图3A-图3B显示在本发明实施例中,基底中的孔洞的侧壁。
图4A-图4E显示本发明实施例的发光元件的示意图。
图5A-图5B显示本发明实施例中,切割基底以获得发光元件的俯视图。
图6A-图6C显示本发明实施例的发光元件的立体图。
上述附图中的附图标记说明如下:
10~发光元件;
100、130~基底;
100a、100b、130a~表面;
100c、100d~侧;
102~发光装置;
102a、102b~电极;
102c~出光表面;
104~孔洞;
104a、104b~沟槽;
104a′、104b′~次孔洞;
105~绝缘层;
106、106a、106b、108a、108b、108c、108d、110a、110b~导电层;
120~保护层;
122~光学透镜;
124~凹陷;
132a、132b~导电结构;
C1、C2~角落;
L1、L2、L3、L4~切割线;
W1、W2、W3~距离;
W4~厚度。
具体实施方式
本发明实施例涉及发光元件及其制法,且特别是有关于侧光(side view)式发光元件。应了解的是以下的叙述提供许多不同的实施例或例子,用以实施本发明的不同方式。以下所述特定的元件及排列方式尽为本发明的简单描述。当然,这些仅用以举例而非本发明的限定。此外,在不同实施例中可能使用重复的标号或标示。这些重复仅为了简单清楚地叙述本发明,不代表所讨论的不同实施例和/或结构之间具有任何关连性。再者,当述及一第一材料层位于一第二材料层上或之上时,包括第一材料层与第二材料层直接接触或间隔有一个或更多其他材料层的情形。
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