[发明专利]半导体集成电路器件及半导体集成电路器件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体集成电路器件的制造方法，包括以下步骤：

(a)在半导体晶片的第一主面上形成包括多晶硅栅电极的多个MISFET的栅极结构；

(b)在上述半导体晶片第一主面的各个栅极结构的两侧附近形成源极和漏极区域；

(c)在上述步骤(a)和上述步骤(b)之后，对上述源极和漏极区域的上表面进行硅化物化；

(d)在上述半导体晶片的上述第一主面上形成蚀刻终止膜，其中，上述半导体晶片的上述第一主面包括上述硅化物化后的上述源极和漏极区域的上述上表面；

(e)在上述蚀刻终止膜上形成预金属层间绝缘膜的一部分即形成通过使用了臭氧和TEOS的热CVD形成的第一氧化硅膜；

(f)通过对上述第一氧化硅膜进行蚀刻来使上述蚀刻终止膜在各栅极结构上露出；

(g)在上述步骤(f)之后，在上述蚀刻终止膜的露出部分和上述第一CVD氧化硅膜的残留部分上形成上述预金属层间绝缘膜的一部分，即形成通过使用了TEOS的等离子CVD形成的第二氧化硅膜；以及

(h)对上述第二氧化硅膜的上表面进行第一化学机械抛光处理。

2.根据权利要求1所记载的半导体集成电路器件的制造方法，其中，还包括以下步骤：

(i)在上述步骤(h)之后，在上述第二氧化硅膜上形成上述预金属层间绝缘膜的一部分即第三氧化硅膜。

3.根据权利要求1所记载的半导体集成电路器件的制造方法，其中，还包括以下步骤：

(j)在上述步骤(h)之后，利用上述蚀刻终止膜并通过干蚀刻在上述预金属层间绝缘膜上进行接触孔开口；

(k)在上述步骤(j)之后，将上述接触孔孔底的上述蚀刻终止膜除去。

4.根据权利要求1所记载的半导体集成电路器件的制造方法，其中，还包括以下步骤：

(j)在上述步骤(h)之后，利用上述蚀刻终止膜并通过干蚀刻在上述预金属层间绝缘膜上进行接触孔开口；

(k)在上述步骤(j)之后，通过除去上述接触孔孔底的上述蚀刻终止膜来延长上述接触孔；

(l)在上述步骤(k)之后，在上述接触孔的内面以及上述预金属层间绝缘膜的上表面形成阻障金属膜；

(m)在上述步骤(l)之后，为了嵌入上述接触孔而在上述阻障金属膜上形成以钨为主要成分的金属材料层；

(n)在上述步骤(m)之后，通过实施第二化学机械抛光处理来除去上述接触孔外的上述金属材料层和上述阻障金属膜。

5.根据权利要求1所记载的半导体集成电路器件的制造方法，其中，还包括以下步骤：

(i)在上述步骤(h)之后，在上述第二氧化硅膜上形成上述预金属层间绝缘膜的一部分即第三氧化硅膜；

(j)在上述步骤(i)之后，利用上述蚀刻终止膜并通过干蚀刻在上述预金属层间绝缘膜上进行接触孔开口；

(k)在上述步骤(j)之后，通过除去上述接触孔孔底的上述蚀刻终止膜来延长上述接触孔；

(l)在上述步骤(k)之后，在上述接触孔的内面和上述预金属层间绝缘膜的上表面形成阻障金属膜；

(m)在上述步骤(l)之后，为了嵌入上述接触孔而在上述阻障金属膜上形成以钨为主要成分的金属材料层；

(n)在上述步骤(m)之后，通过实施第二化学机械抛光处理来除去上述接触孔外的上述金属材料层和上述阻障金属膜。

6.根据权利要求5所记载的半导体集成电路器件的制造方法，其中，上述步骤(n)包括以下后道工序：

(n1)通过实施上述第二化学机械抛光处理来除去上述接触孔外的上述金属材料层和上述阻障金属膜；

(n2)通过实施上述第二化学机械抛光处理来除去上述第三氧化硅膜。

7.根据权利要求1所记载的半导体集成电路器件的制造方法，其中，上述步骤(a)和上述步骤(b)先后实行或是部分同时实行。

8.根据权利要求1所记载的半导体集成电路器件的制造方法，其中，上述蚀刻终止膜为氮化硅膜。

9.根据权利要求1所记载的半导体集成电路器件的制造方法，其中，上述步骤(c)为镍的硅化物化工序。

10.根据权利要求9所记载的半导体集成电路器件的制造方法，其中，在上述步骤(e)之后，不对上述第一氧化硅膜进行退火处理而执行上述步骤(f)。