[发明专利]划线中的散热器结构

权利要求书

1.一种集成电路结构，包括：

第一芯片，包括具有第一长度的第一边缘；

第二芯片，具有面向第一边缘的第二边缘；

划线，在第一边缘和第二边缘之间并邻近第一和第二边缘；以及

散热器，包括在划线中的部分，其中该散热器包括多个通孔和多个金属线， 并且其中在该划线中的散热器的该部分具有至少接近第一长度的第二长度，

其中，该散热器形成环绕该第一芯片的环路。

2.权利要求1的集成电路结构，其中第二长度大于第一长度。

3.权利要求1的集成电路结构，其中散热器包括金属线和在金属线下面 并且电连接到金属线的通孔，其中通孔的宽度与金属线的宽度相同。

4.权利要求1的集成电路结构，其中散热器包括环绕第一芯片的连续的 电镀金属环，并且其中整个散热器在邻近第一芯片的划线中。

5.权利要求1的集成电路结构，其中散热器包括多个散热器子环，每个 散热器子环环绕第一芯片，并且其中，连续的电镀金属环在该多个散热器子环 之上并连接到该多个散热器子环。

6.权利要求1的集成电路结构，还包括：

在散热器上的第一钝化层；

在第一钝化层上的第二钝化层；以及

在第二钝化层中并且具有不高于第一钝化层和第二钝化层之间的界面的 底部的沟槽环，该沟槽环环绕第一芯片并且直接在散热器上。

7.权利要求1的集成电路结构，还包括：

在划线中并且对准划线的纵长方向的测试垫；以及

在划线中并且相对于所述散热器在测试垫的相反侧的附加散热器。

8.一种集成电路结构，包括：

包括边缘的芯片；

在芯片的外侧并且邻近芯片的边缘的划线；以及

散热器，在划线中并且形成环绕芯片的环路。

9.权利要求8的集成电路结构，还包括：

多个低k电介质层；以及

在多个低k电介质层上的第一非掺杂硅酸盐玻璃(USG)层，其中所述散 热器包括环绕芯片并且在所述第一非掺杂硅酸盐玻璃(USG)层中的第一电镀 金属环；

所述集成电路结构还包括在第一非掺杂硅酸盐玻璃(USG)层下的第二 USG层，其中散热器包括邻近第一电镀金属环并且在第二USG层中的第二电 镀金属环；

其中所述散热器包括由电介质区域分开的离散的金属柱，以及其中离散的 金属柱在第一电镀金属环下面并且连接到第一电镀金属环。

10.权利要求8的集成电路结构，其中所述散热器包括离散的金属柱，且 不具有金属特征将离散的金属柱互连；

所述集成电路结构，还包括在所述散热器下面的半导体衬底，并且其中散 热器包括接触半导体衬底的接触插头。

11.权利要求8的集成电路结构，其中所述散热器包括环绕所述芯片的通 孔环，所述集成电路结构还包括直接在散热器上并连接所述散热器的铝环。

12.权利要求8的集成电路结构，还包括：

在所述散热器上的第一钝化层；

在所述第一钝化层上的第二钝化层；以及

在所述第二钝化层中并且具有不高于第一钝化层和第二钝化层之间的界 面的底部的沟槽环，该沟槽环环绕所述芯片并且直接在散热器上。

13.权利要求1的集成电路结构，其中在所述散热器中的多个通孔都是通 孔条的形式，并且其中所述散热器包括至少一个环绕所述芯片的实心金属壁；

其中在所述散热器中的多个通孔包括由电介质材料分开的离散通孔，并且 其中从所述划线中心到所述芯片的边缘，存在有由低k电介质材料构成并且将 中心连接到边缘的路径。

14.权利要求1的集成电路结构，其中所述散热器是非连续的并且包括与 平行于芯片的边缘的线对准的散热器柱，以及其中每个散热器柱包括多个金属 线层和多个通孔层；

其中相邻的散热器柱之间的距离小于5μm。