[发明专利]划线中的散热器结构

说明书

技术领域

本申请一般地涉及集成电路结构，以及更特别地涉及形成在划线中的散热 器。

背景技术

集成电路(IC)制造业者正在使用逐渐更小的尺寸以及相应的技术来制造 更小的高速半导体器件。随着这些进展，保持良品率和产量的挑战也有所增加。

半导体晶片通常包括由划线彼此分开的管芯(也称为芯片)。晶片中的各 个的芯片包括电路，并且管芯通过切割而分离，然后被单独的封装。通常地， 使用机械力来进行切割。然而，这引起在邻接划线的芯片上的机械力，导致损 坏芯片。

近来，激光被用于管芯的切割，其中将激光投射到划线上，因此激光投射 的部分被切开。有利地，激光切割不会将机械力施加到芯片上，因此基本上消 除了与机械力有关的损坏。然而，激光切割是通过大量的热来实现的，其可以 引起靠近划线的芯片的部分的局部温度非常高。暴露在高温下的器件会被损 坏，或者使它们的性能改变。

通常地，为了解决由激光切割引起的热问题，加宽划线以便激光通过的路 径远离相邻的芯片。例如，划线不得不从80μm扩展至300μm的宽度。在划 线中的这种增加导致了晶片中芯片数量的减少。

因此，在技术中所需要的是一种方法或一种集成的结构，其可以结合激光 切割来利用与减少机械力相关的优势而同时克服现有技术的不足。

发明内容

根据本发明的一方面，一种集成电路结构，包括具有第一边缘的第一芯片， 其具有第一长度；和具有面向第一边缘的第二边缘的第二芯片。划线在第一边 缘和第二边缘之间并且邻接第一和第二边缘。散热器包括在划线中的一个部 分，其中散热器包括多个通孔和多个金属线。在划线中散热器的该部分具有接 近第一长度或比第一长度更大的第二长度。

根据本发明的另一方面，一种集成电路结构，包括具有边缘的芯片；在芯 片外面并且邻接芯片的边缘的划线；以及在划线中的散热器并且形成环绕芯片 的环路。从划线的一个的中心到芯片的边缘，存在包括低k电介质材料的、将 中心连接到芯片的边缘的路径。

根据本发明的又一方面，一种集成电路结构，包括芯片，和在芯片外面并 且邻接芯片的边缘的划线。划线包括半导体衬底；在半导体衬底上的多个低k 电介质层；在多个低k电介质层上的非掺杂的硅酸盐玻璃(USG)层；在USG 层上的第一钝化层；和在第一钝化层上的第二钝化层。散热器在划线中并且形 成环绕芯片的环路。散热器包括多个金属线，每个形成环绕芯片的环；将多个 金属线互连的多个通孔；和在USG层中并环绕芯片的电镀金属环。沟槽环在 划线中并且从第二钝化层的上表面延伸到不高于第一钝化层和第二钝化层之 间的界面的水平。沟槽环基本上环绕芯片。

本发明有利的特点包括在激光切割中改善散热能力。而且，散热器形成在 划线中，并因此不需要减少晶片中芯片的数量。

附图说明

为了对本发明及其优点更加全面的理解，现在采取结合相应附图的下面的 说明书作为参考，其中：

图1示出了邻接划线的两个芯片的顶视图，其中散热器形成在划线中；

图2A到2E是图1所示结构的截面图；

图3示出了邻接划线的两个芯片的顶视图，其中非连续的散热器形成在划 线中；

图4示出了包括电镀金属环，但没有接触插头的散热器的截面图；

图5示出了包括接触插头，但没有电镀金属环的散热器的截面图；以及

图6示出了邻接划线的两个芯片的顶视图，其中散热器具有接近芯片长度 的长度，但是没有形成一个环。

具体实施方式

下面将对实施例的制造和使用进行详细地讨论。然而，应当认识到实施例 给出了许多可以以多种多样的具体情况来体现的可应用的创造性的概念。所讨 论的具体实施例仅仅是制造和使用本发明的具体方式的示例，而非限定本发明 的范围。

现在给出了用于散发在激光切割过程中所产生的热量的新型散热结构以 及形成其的方法。本发明实施例的变化将被说明。在本发明的各个图和实施例 中，相同的参考标记号码用来表示相同的元件。