[发明专利]感应等离子体掺杂

权利要求书

1.一种对放置在感应等离子体腔体内的基座电极上的半导体晶片掺杂的 方法，包括：

在感应等离子体腔体内产生等离子体，该等离子体具有相对于地电位的第 一电压；以及

在感应等离子体腔体内对该基座电极施加相对于地电位的正RF电压，该 正RF电压基于该等离子体的第一电压。

2.如权利要求1所述的方法，还包括：

基于等离子体的电位调节施加在该电极上的该RF电压。

3.如权利要求1所述的方法，其中RF电压相对于地电位在0伏特到100 伏特之间。

4.如权利要求1所述的方法，其中RF电压相对于地电位在45伏特到55 伏特之间。

5.如权利要求1所述的方法，其中高k值材料被设置在半导体晶片的表 面上，并且该等离子体包括氮。

6.如权利要求5所述的方法，其中高k值材料是选自包含HfO₂、HfZrO、 HfSiO、Al₂O₃和La₂O₃的组中。

7.如权利要求1所述的方法，其中半导体晶片包括设置在表面的鳍式场 效应晶体管(FINFET)的沟道，以及所述等离子体包括V族元素的离子。

8.一种对放置在感应等离子体腔体内的基座电极上的半导体晶片掺杂的 方法，包括：

在感应等离子体腔体内产生等离子体，该等离子体具有相对于地电位的第 一电压；和

把感应等离子体腔体内的基座电极偏置为相对于地电位的第二电压；和

调节第二电压以控制掺杂剂在半导体晶片上表面中的掺杂深度，

其中第二电压是射频(RF)电压并且被基于等离子体的第一电压调节。

9.如权利要求8所述的方法，其中第二电压相对于地电位在-100伏特到 100伏特之间。

10.如权利要求8所述的方法，其中第二电压相对于地电位在45伏特到 55伏特之间。

11.如权利要求8所述的方法，其中高k值材料设置在半导体晶片的上表 面上，并且该等离子体包括氮。

12.如权利要求8所述的方法，其中半导体晶片包括设置在表面的鳍式场 效应晶体管(FINFET)的沟道，以及所述等离子体包括V族元素的离子。

13.如权利要求8所述的方法，其中高k值材料是选自包含HfO₂、HfZrO、 HfSiO、Al₂O₃和La₂O₃的组中。

14.如权利要求8所述的方法，其中第二电压相对于地电位是正的。