[发明专利]挠性膜自载板上脱离的方法及可挠式电子装置的制造方法

权利要求书

1.一种挠性膜自载板上脱离的方法，包含：

提供载板，其中该载板具有上表面；

对该载板的上表面进行表面处理，以形成具有防粘特性的上表面；

在该载板具有防粘特性的上表面上形成挠性膜；以及

对形成于该载板上的该挠性膜进行切割脱离。

2.如权利要求1所述的挠性膜自载板上脱离的方法，其中该载板包含金属基板、塑料基板、陶瓷基板、玻璃或硅晶圆。

3.如权利要求1所述的挠性膜自载板上脱离的方法，其中该载板的上表面经该表面处理后，其上能与挠性膜产生键结的官能团被消耗、覆盖或置换。

4.如权利要求3所述的挠性膜自载板上脱离的方法，其中该能与挠性膜产生键结的官能团包含羟基、羧基、胺基、或酯基。

5.如权利要求3所述的挠性膜自载板上脱离的方法，该载板上表面的官能团与挠性膜产生的键结包含离子键、共价键、或氢键。

6.如权利要求第1所述的挠性膜自载板上脱离的方法，其中该表面处理包括：

提供化学试剂与该载板的上表面进行反应。

7.如权利要求6所述的挠性膜自载板上脱离的方法，其中该化学试剂具有以下结构：

其中，w为C、Si、或Ge；X为S、或Se；Y为C或S；

R₁、R₂、及R₃各自独立地为氢、烃基、烷基、-OR或其结合，其中R为碳数介于1～18的烷基；

R₄为F、Cl、Br、I、羧基、胺基、氨基、氰基、酰胺基、卤代烷基或其组合；

R₅为Li；以及

R₆、R₇、及R₈各自独立地为F、Cl、Br、I、烃基、烷基、羧基、胺基、酰胺基、卤代烷基、或其组合。

8.如权利要求6所述的挠性膜自载板上脱离的方法，其中该化学试剂包含：二甲基氯硅烷、三甲基氯硅烷、三甲基氯甲烷、1-氯甲基-1-三甲基硅烷、2-溴丙烷、二甲基二氯硅烷、三甲基氟硅烷、三甲基溴硅烷、三甲基碘硅烷、三甲基氰硅烷、亚硫酰氯、三乙基氯硅烷、二异丙基氨基锂、三氯化磷、硫酰氯、叔丁基氯二甲基硅烷、或其混合。

9.如权利要求6所述的挠性膜自载板上脱离的方法，其中该化学试剂以浸泡技术、旋转涂布技术、压印技术、刮印技术、或辊涂技术形成于该载板的上表面。

10.如权利要求1所述的挠性膜自载板上脱离的方法，其中该挠性膜包含：聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚醚砜、聚降冰片烯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯或聚对苯二甲酸乙二醇酯。

11.如权利要求1所述的挠性膜自载板上脱离的方法，在该载板的上表面上形成该挠性膜之前，还包含在该载板上形成功能膜，其中该功能膜包含：应力缓和膜、抗刮膜、抗反射膜、阻气膜或其组合。

12.如权利要求1所述的挠性膜自载板上脱离的方法，其中该挠性膜是以湿式涂布或蒸镀方式形成于该载板的上表面上的。

13.如权利要求1所述的挠性膜自载板上脱离的方法，其中该表面处理包含：等离子体处理、离子束轰击、电子轰击、蚀刻处理、摩擦处理或其组合。

14.一种挠性膜自载板上脱离的方法，包含：

提供载板，其中该载板具有上表面；

对该载板的上表面进行表面处理，以形成具有防粘特性的上表面；

在该载板具有防粘特性的上表面上贴附预先形成的挠性膜；以及

对形成于该载板上的该挠性膜进行切割脱离。

15.如权利要求14所述的挠性膜自载板上脱离的方法，其中该载板包含金属基板、塑料基板、陶瓷基板、玻璃或硅晶圆。

16.如权利要求14所述的挠性膜自载板上脱离的方法，其中该载板的上表面经该表面处理后，其上能与挠性膜产生键结的官能团被消耗、覆盖或置换。

17.如权利要求16所述的挠性膜自载板上脱离的方法，其中该能与挠性膜产生键结的官能团包含羟基、羧基、胺基、或酯基。