[发明专利]封装结构及其制法

说明书

技术领域

本发明涉及一种封装结构，且特别是涉及一种薄膜覆晶式封装结构(chip on film，COF)。

背景技术

近年来，为了提升液晶面板(LCD)的影像品质，具有高引脚数目、细间距(fine itch)、构装体积小的高密度封装技术亦随之发展。目前使用于液晶面板的封装方式可分成两种，一种为卷带式自动接合封装(tape automated bonding，TAB)，另一种为薄膜覆晶式封装(chip on film，COF)。由于TAB封装由三层材料(基板、粘着剂、铜层)所构成，而COF封装仅需利用两层(基板和铜层)结构，且COF封装相较于TAB封装，具有微细间距、可挠及可搭载被动元件(例如电阻、电容)等优势，因此，COF封装方式将成为未来软质封装基材主要的发展趋势。

参见图1A，其为一公知的COF封装结构俯视图，一基板10上具有复数个内引脚20，其中内引脚20是为了与晶片(图中未显示)接合而设置，此外，基板10的外围为一绝缘层25，用以防焊绝缘。

然而，公知的COF封装技术中却有下述缺点，参见图2A，其为进行内引脚接合制程(inner lead bonding，ILB)时的剖面图，当利用平面热压法使基板10上的内引脚(inner lead)20与晶片30上的凸块(bump)40进行接合(bonding)时，加热器50的高温会使得基板10受热而膨胀变形，进而影响到内引脚20的位置。如图2B所示，其为基板10受热后的剖面图，以虚线AA’为中心点，基板10会沿着中心点向两侧膨胀(如箭头70所示)，使得基板膨胀成10’，也使得基板10之上的内引脚20也沿着中心点向两侧偏移(如虚线20’所示)，进而影响晶片的对准。

因此，业界亟需提出一种封装结构，以解决基板受热造成的对准问题。

发明内容

本发明提供一种封装结构，包括：一基板，该基板具有一中心区域与一周边区域；复数个图案化金属箔，形成于该基板的中心区域上，其中每一图案化金属箔具有至少一开口，且所述图案化金属箔之间具有至少一流道，所述开口与流道曝露该基板；复数个金属引脚，围绕该基板的中心区域排列；以及一绝缘层，形成于该基板的周边区域上。

本发明另外提供一种封装结构的制法，包括以下步骤：提供一基板，其中该基板具有一中心区域与周边区域；于该基板的中心区域上形成复数个图案化金属箔，其中每一图案化金属箔具有至少一开口，且所述图案化金属箔之间具有至少一流道，而所述开口与流道曝露该基板；形成复数个金属引脚，围绕该基板的中心区域排列；以及于该基板的周边区域上形成一绝缘层。

为让本发明的上述和其他目的、特征、和优点能更明显易懂，下文特举出优选的实施例，并配合附图作详细说明如下：

附图说明

图1为一俯视图，用以说明公知的封装基板。

图2A为一剖面图，用以说明公知的热压合过程。

图2B为一剖面图，用以说明公知的基板受热膨胀的情形。

图3A～3B为一系列俯视图，用以说明本发明实施例的封装结构。

主要元件符号说明

10～基板

10’～受热膨胀的基板

20～内引脚

20’～位置偏移的内引脚

25～绝缘层

30～晶片

40～凸块

50～加热器

70～基板受热膨胀的方向

100～基板

110～中心区域

120～周边区域

200～图案化金属箔

210～开口

220～流道

300～金属引脚

400～绝缘层

具体实施方式

参见图3A，其为本发明实施例的一个封装结构，包括一基板100，其具有一中心区域110与一周边区域120，此中心区域110是相对应后续晶片接合的位置。基板100的材料包括聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚乙烯醇(PVA)、聚乙烯酚(PVP)或聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)。在一个实施例中，基板100优选为聚酰亚胺(PI)。然而基板100的选择不以此为限，只要是具有耐热性、尺寸安定性、高弹性率与耐环境特性的基板皆可。

复数个图案化金属箔200形成于基板的中心区域110上，图案化金属箔200的材料可包括铜、铝、镍、金或为上述的组合，其厚度约为5～20μm。此外，每一图案化金属箔200中具有至少一开口210，且这些图案化金属箔200之间具有至少一流道220，其中开口210与流道220曝露基板100。