[发明专利]处理基板用的真空腔室及包含该真空腔室的设备

说明书

【技术领域】

本发明是关于一种用于处理基板的真空腔室，特别是关于一种具有腔 室盖的真空腔室及包含该真空腔室的设备。

【背景技术】

一般而言，半导体装置(例如平面显示装置及太阳能电池)的处理包 含重复以下步骤：沉积薄膜；图案化光阻(PR)层的光微影步骤；及蚀刻 图案的薄膜。沉积步骤及蚀刻步骤可在具有与外部分开的反应空间的设备 的腔室内施行，例如可将包含承载(load-lock)腔室、传送腔室、及处理 腔室的群集型(cluster type)设备用于沉积步骤及蚀刻步骤，传送腔室 及处理腔室在沉积步骤及蚀刻步骤期间可具有真空状态。特别是，由于基 板是由具有大气状态的外部输入至承载腔室内，且基板是由承载腔室传送 至具有真空状态的传送腔室，故承载腔室可交替地具有大气状态及真空状 态。

图1为显示根据相关技艺的群集型设备的图式。

在图1中，群集型设备10包含基板装载器/卸载器18、承载腔室12、 传送腔室14及数个处理腔室16。将数个基板20输入至基板装载器/卸载器 18内以用于处理，且在处理完成后将数个基板20自基板装载器/卸载器18 输出。承载腔室12被设置于基板装载器/卸载器18与传送腔室14之间， 因此，数个基板20自基板装载器/卸载器18经由承载腔室12而被运送至 传送腔室14。基板装载器/卸载器18包含第一机器人24，其是用以将数个 基板20自基板装载器/卸载器18运送至承载腔室12；而传送腔室14包含 第二机器人22，其是用以将数个基板20自承载腔室12运送至数个处理腔 室16。

图2为显示根据相关技艺的群集型设备的承载腔室的展开透视图。

在图2中，承载腔室12包含腔室本体28及腔室盖29，腔室本体28 包含第一至第四侧壁30，32，34及36，第一及第二侧壁30及32分别具有 用于基板传送的第一及第二狭槽阀31及33，而第三及第四侧壁34及35则 位于第一及第二侧壁30及32之间。结果，(图1的)基板20自(图1的) 基板装载器/卸载器18经由第一狭槽阀31而被输入至承载腔室12，且基板 20自承载腔室12经由第二狭槽阀33而被输出至(图1的)传送腔室14。 第三及第四侧壁34及36中的每一者皆具有观察口38，其是用以检查承载 腔室12的内侧；可打开观察口38以进行检查，且其可于检查后关闭。腔 室本体28及腔室盖29可由金属材料例如铝(Al)所形成。

再者，可将扩散器40形成于第三及第四侧壁34及36其中一者上，而 真空状态的承载腔室12是借由透过扩散器40所注入的气体加以通气以具 有大气状态，举例而言，可透过扩散器40而使氮气(N₂)扩散进入承载腔 室12；将真空泵(未图示)连接至承载腔室12以获得真空状态。此外，将 彼此隔开的数个基板支台42形成于承载腔室12中。将基板20装载于数个 基板支台42上，并将传送腔室14的第二机器人22的手臂嵌入至基板支台 42之间的空间内。因此，利用第二机器人22，基板20即自承载腔室12经 由第二狭槽阀33而被运送至传送腔室14。数个基板支台42可包含用以加 热基板20的加热装置(未图示)。

对承载腔室12进行抽气，以由大气状态转换至真空状态；对其进行通 气，以由真空状态转换至大气状态。如此，对于承载腔室12重复地施行抽 气及通气；此外，加热基板20以便具有承载腔室12中的处理温度。由于 承载腔室12是由具有相对低强度的金属材料(例如铝(Al))所形成，故 承载腔室12的腔室本体28及腔室盖29可能因为在一相对高温度下重复抽 气及通气而变形，结果造成承载腔室12的使用寿命缩短。

【发明内容】

因此，本发明是针对处理基板用的真空腔室及包含该真空腔室的设备， 其实质上消除了由于相关技艺的限制及缺点所致的一个以上问题。

本发明的一目的为提供可防止因强度提升所致的变形的真空腔室。

本发明的另一目的为提供真空腔室的腔室盖，其包含框架及数个平板。

本发明的另一目的为提供真空腔室的腔室盖，其包含冷却用的流动通 道。

本发明的一种处理基板用的真空腔室包含：腔室本体；及腔室盖，与 该腔室本体相结合，其中该腔室盖包含：框架，具有数个开口；及数个平 板，与该数个开口相结合，该数个平板中的每一者皆具有比该框架更高的 导热性。