[发明专利]研浆组成物及使用该研浆组成物的金属镶嵌结构制造方法

权利要求书

1.一种研浆组成物，其特征在于，其组成总量为100％，包括：

研磨粒，含量为10％～40％(重量)且所述研磨粒的粒径多分布指数大于1.8；

酸碱调整剂，含量为0.01％～10％(重量)；

氧化剂，含量为0.01％～10％(重量)；以及

水，组成所述研浆组成物的剩余部份为所述水。

2.根据权利要求1所述的研浆组成物，其特征在于，其中所述研磨粒的含量为15％～35％(重量)。

3.根据权利要求1所述的研浆组成物，其特征在于，其中所述研磨粒的材料包括二氧化硅、金属氧化物、聚合材料或金属氧化物与聚合材料的混合物。

4.根据权利要求3所述的研浆组成物，其特征在于，其中所述二氧化硅包括气相二氧化硅或二氧化硅溶胶。

5.根据权利要求3所述的研浆组成物，其特征在于，其中所述金属氧化物包括氧化铝或氧化钛。

6.根据权利要求1所述的研浆组成物，其特征在于，其中所述酸碱调整剂的含量为0.1％～5％(重量)。

7.根据权利要求1所述的研浆组成物，其特征在于，其中所述酸碱调整剂包括酸、碱或其组合。

8.根据权利要求7所述的研浆组成物，其特征在于，其中所述酸包括柠檬酸、草酸、磷酸、氨基三甲基膦酸、1-羟基亚乙基-1，1-二磷酸、2-膦酸丁烷-1，2，4-三羧酸、次氮三亚甲基膦酸、己二胺四亚甲基膦酸、二乙烯三胺五亚甲基膦酸、六亚甲基三胺五亚甲基膦酸、丙二酸、乳酸、醋酸、丙酸、丁酸、戊酸、己酸、琥珀酸、己二酸、苹果酸、顺丁烯二酸、酒石酸、甲磺酸、甲苯磺酸、十二烷基苯磺酸、乙二胺四乙酸、二乙三胺五乙酸、氮基三醋酸、N-(羟乙基)-乙二胺三乙酸及其混合物中的至少一种。

9.根据权利要求7所述的研浆组成物，其特征在于，其中所述碱包括有机碱类或无机碱类。

10.根据权利要求9所述的研浆组成物，其特征在于，其中所述无机碱类包括氢氧化钾或氢氧化钠。

11.根据权利要求1所述的研浆组成物，其特征在于，其中所述研浆组成物的酸碱值为9至12。

12.根据权利要求11所述的研浆组成物，其特征在于，其中所述研浆组成物的酸碱值为10.5至11.5。

13.根据权利要求1所述的研浆组成物，其特征在于，其中所述氧化剂包括过氧化氢。

14.根据权利要求1所述的研浆组成物，其特征在于，其中所述水包括去离子水。

15.根据权利要求1所述的研浆组成物，其特征在于，还包括错合剂，其含量范围为10ppm至500ppm。

16.根据权利要求15所述的研浆组成物，其特征在于，其中所述错合剂的含量为70ppm至500ppm。

17.根据权利要求16所述的研浆组成物，其特征在于，其中所述错合剂的含量为70ppm至300ppm。

18.根据权利要求16所述的研浆组成物，其特征在于，其中在使用所述研浆组成物时，阻障材料对金属材料的研磨选择比小于或等于1.2。

19.根据权利要求15所述的研浆组成物，其特征在于，其中在使用所述研浆组成物时，介电材料对金属材料的研磨选择比小于2。

20.根据权利要求15所述的研浆组成物，其特征在于，其中所述错合剂包括柠檬酸、草酸、草酸铵、酒石酸、组胺酸、丙胺酸及甘胺酸中的至少一种。

21.根据权利要求1所述的研浆组成物，其特征在于，其中所述研浆组成物对介电材料的移除率大于1000埃/分。

22.一种金属镶嵌结构的制造方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底上已形成有介电层，且所述介电层中具有暴露出所述基底的开口；

在所述介电层及所述基底上形成共形的阻障层；

在所述阻障层上形成填满所述开口的金属层；

以所述阻障层作为研磨终止层，对所述金属层进行第一化学机械研磨制程；以及

使用权利要求1至21任何一项所述的研浆组成物，进行第二化学机械研磨制程，以移除位于所述开口以外的所述阻障层。