[发明专利]研浆组成物及使用该研浆组成物的金属镶嵌结构制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种组成物及使用该组成物的半导体制程，且特别涉及一种研浆组成物及使用该研浆组成物的金属镶嵌结构制造方法。

背景技术

在超大型积体电路(VLSI)制程中，化学机械研磨(chemical mechanicalpolishing，CMP)制程可提供晶圆表面全面性平坦化(global planarization)，尤其当半导体制程进入次微米(sub-micron)领域后，化学机械研磨法更是一项不可或缺的制程技术。

化学机械研磨法常见于金属镶嵌(damascene)制程中，且是金属镶嵌结构的制造方法中最重要的关键技术之一。金属镶嵌结构的制造方法中的化学机械研磨制程包含金属层的移除步骤以及阻障层(barrier layer)的移除步骤。

近来，为了提高半导体元件的产出(throughput)，在金属镶嵌制程的阻障层的去除步骤中，必须能够加快膜层的移除速度。

发明内容

本发明提供一种研浆组成物，能够快速地移除膜层。

本发明提供一种金属镶嵌结构的制造方法，可以有效地增进半导体元件的产出。

本发明提出一种研浆组成物，其组成总量为100％，且包括研磨粒、酸碱调整剂、氧化剂及水。研磨粒的含量为10％～40％(重量)，且研磨粒的粒径多分布指数(polydisperse index，PDI)大于1.8。酸碱调整剂的含量为0.01％～10％(重量)。氧化剂的含量为0.01％～10％(重量)。其中，组成所述研浆组成物的剩余部份为水。

依照本发明的一实施例所述，在所述研浆组成物中，研磨粒的含量是15％～35％(重量)。

依照本发明的一实施例所述，在所述研浆组成物中，研磨粒的材料是二氧化硅、金属氧化物、聚合材料或金属氧化物与聚合材料的混合物(hybrids)。

依照本发明的一实施例所述，在所述研浆组成物中，二氧化硅是气相二氧化硅(fumed silica)或二氧化硅溶胶(silica sols)。

依照本发明的一实施例所述，在所述研浆组成物中，金属氧化物是氧化铝(alumina)或氧化钛(titania)。

依照本发明的一实施例所述，在所述研浆组成物中，酸碱调整剂的含量是0.1％～5％(重量)。

依照本发明的一实施例所述，在所述研浆组成物中，酸碱调整剂是酸、碱或其组合。