[发明专利]光器件晶片的分割方法有效
申请号: | 200910148838.4 | 申请日: | 2009-06-11 |
公开(公告)号: | CN101604659A | 公开(公告)日: | 2009-12-16 |
发明(设计)人: | 星野仁志;山口崇 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78;H01L21/50;H01L21/304;B28D5/00;B23K26/38 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 陈 坚 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 器件 晶片 分割 方法 | ||
1.一种光器件晶片的分割方法,其是将光器件晶片沿着多个间隔道 分割成一个个光器件的方法,上述光器件晶片在表面上通过形成为格子 状的多个间隔道划分出了多个区域,在该多个区域中形成有光器件,其 特征在于,
该光器件晶片的分割方法包括以下工序:
保护板接合工序,将光器件晶片的表面通过能够剥离的接合剂接合 到保护板的表面上,上述保护板由玻璃基板、陶瓷、金属材料或树脂形 成;
背面磨削工序,对粘贴在上述保护板上的光器件晶片的背面进行磨 削,从而使光器件晶片形成为器件的最终厚度;
加强基板接合工序,将加强基板的表面通过能够剥离的接合剂接合 到实施了上述背面磨削工序的光器件晶片的背面上,上述加强基板由蓝 宝石基板或玻璃基板形成;
晶片剥离工序,将接合有上述加强基板的光器件晶片从上述保护板 上剥离;
切割带粘贴工序,将接合有上述加强基板的光器件晶片的表面粘贴 到切割带的表面上;
激光加工工序,实施如下所述的激光加工:从与粘贴在上述切割带 上的光器件晶片接合的上述加强基板的背面侧,沿着形成在光器件晶片 上的间隔道照射激光光线,从而在上述加强基板中沿着间隔道形成断裂 起点;以及
晶片分割工序,沿着实施了上述激光加工工序的上述加强基板的断 裂起点施加外力,使上述加强基板沿着断裂起点断裂,从而使光器件晶 片沿着间隔道断裂从而分割成一个个光器件。
2.根据权利要求1所述的光器件晶片的分割方法,其特征在于,
在上述激光加工工序中,通过将聚光点对准上述加强基板的内部来 照射相对于上述加强基板具有透射性的波长的激光光线,从而在上述加 强基板的内部沿着间隔道形成作为断裂起点的变质层。
3.根据权利要求1所述的光器件晶片的分割方法,其特征在于,
在上述激光加工工序中,通过照射相对于上述加强基板具有吸收性 的波长的激光光线,来在上述加强基板的背面沿着间隔道形成作为断裂 起点的激光加工槽。
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的光器件晶片的分割方法, 其特征在于,
上述光器件晶片的分割方法包括拾取工序,在该拾取工序中,将通 过实施上述晶片分割工序而分割开的光器件从上述切割带上剥离并进行 拾取。
5.根据权利要求4所述的光器件晶片的分割方法,其特征在于,
在实施上述拾取工序之前或在实施上述拾取工序之后,实施将粘贴 在被分割开的光器件上的上述加强基板剥离的加强基板剥离工序。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社迪思科,未经株式会社迪思科许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910148838.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:用于氮化物基膜以及其制造的掩埋接触器件
- 下一篇:台型半导体装置及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造