[发明专利]光器件晶片的分割方法

说明书

技术领域

本发明涉及将光器件晶片沿着间隔道分割成一个个光器件的光器件 晶片的分割方法，该光器件晶片在蓝宝石基板等基板的表面上通过形成 为格子状的间隔道划分有多个区域，并且在该划分出的区域内层叠有氮 化镓类化合物半导体等光器件。

背景技术

关于在蓝宝石基板的表面上通过形成为格子状的被称为间隔道的分 割预定线划分有多个区域、并且在该划分出的区域内层叠有氮化镓类化 合物半导体等光器件的光器件晶片，沿着间隔道被分割成一个个发光二 极管等光器件，并广泛利用于电气设备。

关于上述光器件晶片，在沿着间隔道进行分割之前利用磨削装置对 背面进行磨削，从而加工至预定厚度。近年来，为了实现电气设备的轻 量化、小型化，要求使光器件的厚度在50μm以下。然而，当光器件晶片 的厚度被磨削变薄而达到50μm以下时，存在光器件晶片产生破裂的问 题。

另一方面，光器件晶片的沿着间隔道的切断通常是利用使切削刀具 高速旋转来进行切削的切削装置进行的。但是，由于蓝宝石基板是莫氏 硬度高的难切削材料，所以需要降低加工速度，存在生产效率差的问题。

近年来，作为沿着间隔道分割光器件晶片等晶片的方法，提出了如 下方法：通过沿着间隔道照射相对于晶片具有吸收性的波长的脉冲激光 光线来形成激光加工槽，通过沿着该激光加工槽施加外力，使晶片沿着 间隔道断裂。(例如，参照专利文献1。)

专利文献1：日本特开平10-305420号公报

此外，作为沿着间隔道分割光器件晶片等晶片的方法，还提出了如 下方法：使用相对于晶片具有透射性的波长的脉冲激光光线，以聚光点 对准晶片内部的方式沿着间隔道照射该脉冲激光光线，由此在晶片内部 沿着间隔道连续地形成变质层，沿着因为形成该变质层而强度降低了的 间隔道施加外力，从而使晶片沿着间隔道断裂。(例如，参照专利文献2。)

专利文献2：日本特开2008-6492号公报

然而，如果沿着光器件晶片的间隔道照射激光光线来形成激光加工 槽或变质层，并沿着形成有激光加工槽或变质层的间隔道将光器件晶片 分割成一个个光器件的话，则在被分割成一个一个的光器件的侧面(断 裂面)会残留因激光加工而生成的变质物，存在光器件的光亮度降低且 抗弯强度降低的问题。

发明内容

本发明是鉴于上述事实而完成的，其主要的技术课题在于提供一种 光器件晶片的分割方法，该方法能够使光器件晶片的厚度形成得很薄， 并且能够在不降低光器件光亮度的同时防止抗弯强度的降低。

为了解决上述主要的技术课题，根据本发明，提供一种光器件晶片 的分割方法，其是将光器件晶片沿着多个间隔道分割成一个个光器件的 方法，上述光器件晶片在表面上通过形成为格子状的多个间隔道划分出 了多个区域，在该多个区域中形成有光器件，其特征在于，

该光器件晶片的分割方法包括以下工序：

保护板接合工序，将光器件晶片的表面通过能够剥离的接合剂接合 到刚性高的保护板的表面上；

背面磨削工序，对粘贴在上述保护板上的光器件晶片的背面进行磨 削，从而使光器件晶片形成为器件的最终厚度；

加强基板接合工序，将刚性高的加强基板的表面通过能够剥离的接 合剂接合到实施了上述背面磨削工序的光器件晶片的背面上；

晶片剥离工序，将接合有上述加强基板的光器件晶片从上述保护板 上剥离；

切割带粘贴工序，将接合有上述加强基板的光器件晶片的表面粘贴 到切割带的表面上；

激光加工工序，实施如下所述的激光加工：从与粘贴在上述切割带 上的光器件晶片接合的上述加强基板的背面侧，沿着形成在光器件晶片 上的间隔道照射激光光线，从而在上述加强基板中沿着间隔道形成断裂 起点；以及

晶片分割工序，沿着实施了上述激光加工工序的上述加强基板的断 裂起点施加外力，使上述加强基板沿着断裂起点断裂，从而使光器件晶 片沿着间隔道断裂从而分割成一个个光器件。

在上述激光加工工序中，通过将聚光点对准上述加强基板的内部来 照射相对于加强基板具有透射性的波长的激光光线，从而在加强基板的 内部沿着间隔道形成作为断裂起点的变质层。