[发明专利]半导体集成电路器件有效
申请号: | 200910149191.7 | 申请日: | 2009-06-26 |
公开(公告)号: | CN101635506A | 公开(公告)日: | 2010-01-27 |
发明(设计)人: | 有坂直也;伊藤崇泰 | 申请(专利权)人: | 株式会社瑞萨科技 |
主分类号: | H02M3/00 | 分类号: | H02M3/00;H01L27/02;H01L23/52 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 | 代理人: | 王茂华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 集成电路 器件 | ||
相关申请的交叉引用
这里通过参考引入2008年7月22日提交的日本专利申请No.2008-188144的全部公开内容,包括说明书、附图和摘要。
技术领域
本发明涉及通过调节器产生电源的技术,并且更特别地涉及用于在系统级封装中提供电源电压的技术。
背景技术
在半导体集成电路器件领域,已知其中将多于一个的半导体芯片安装在单个封装中的系统级封装(SiP)。
系统级封装类型的半导体集成电路器件包括其中封装有系统LSI诸如微型计算机和大容量非易失性存储器的器件,并且已知一些这样的半导体集成电路器件并入片内调节器来驱动该非易失性存储器。
近年来,随着电子系统消耗低功率的趋势的日益增长,半导体集成电路器件的工作电压低于以前。在一些半导体集成电路器件中,电源电压VCC非常接近于非易失性存储器的工作电压,所以防止调节器向非易失性存储器供给的功率中的电压降是很重要的。
关于这一点,用于防止电压降的已知技术的一个例子是,将调节器布线多层化以降低布线的薄层电阻。
对于使用这种调节器的半导体集成电路器件,已知一种布局技术,其中与半导体芯片上的开关调节器斜对地安装串联调节器,以便降低高频噪声的影响(参见日本未审专利公开No.2004-193475)。
发明内容
然而,本发明人发现上述用于防止由调节器提供的电源电压下降的技术具有以下问题。
近年来,存在这样一种趋势,非易失性存储器具有较大存储容量且因而要求较大电流。多层化布线可能不能够应对这样的大电流,并且如上所述,如果提供到半导体集成电路器件的电源电压VCC非常接近于非易失性存储器的操作电压,则即使在微小的电压降的情况下也不能确保操作电压的稳定性。
本发明的一个目的在于提供一种技术,用以显著减少由调节器所产生的电源电压的电压降,并有效且精确地确保电源电压的稳定供给。
本发明的上述以及其它目的和新颖特征将从本说明书和附图的以下详细描述中更充分地显现出来。
本申请公开的发明的典型方面的概要将简述如下。
根据本发明的一个方面,在一种具有用于将直流电源电压转换成给定直流电压的调节器的半导体集成电路器件中,该调节器包括:输出驱动器,其具有多个晶体管;输入电压焊盘,其用于将电源电压提供到晶体管的源极;和输出电压焊盘,其耦合到晶体管的漏极,以输出给定直流电压。这里,输入电压焊盘和输出电压焊盘沿着其中形成调节器的半导体芯片的一个边缘布置成行,并且晶体管的栅极与输入电压焊盘和输出电压焊盘的布置平行。
本发明的其它方面将简述如下。
优选地,该半导体集成电路器件还包括:第一主线,其与输入电压焊盘耦合;第一支线,其从第一主线延伸,以向晶体管的第一扩散层提供电压;第二主线,其与输出电压焊盘耦合;以及第二支线,其从第二主线延伸,以将来自晶体管的第二扩散层的电压提供到输出电压焊盘。这里,第一支线和第二支线与输入电压焊盘和输出电压焊盘的布置平行。
输入电压焊盘和输出电压焊盘可以交替布置。
而且,输入电压焊盘可以作为第一组布置成行,输出电压焊盘可以作为第二组布置成行,并且第一组和第二组可以布置成一行。
晶体管在它们的源极、漏极和栅极分别共同耦合的同时可以彼此平行耦合。
优选地,该半导体集成电路器件为包括至少两个半导体芯片的系统级封装。这里,调节器向其中不存在调节器的另一半导体芯片或者从外部耦合到该半导体集成电路器件的其它半导体芯片提供给定的转换直流电压。
调节器可以向从外部耦合到该半导体集成电路器件的其它半导体芯片提供给定的转换直流电压。
该半导体集成电路器件可以是具有CPU(中央处理单元)的控制器。
本发明的优选实施例所实现的有益效果简要地概述如下:
(1)可以在很小的电压降的情况下精确地提供直流电源电压。
(2)半导体集成电路器件可以确保较高可靠性并提供较高性能。
(3)调节器的面积可以很小,且半导体集成电路器件可以是紧凑的。
附图说明
图1是示出根据本发明第一实施例的半导体集成电路器件的配置的方框图;
图2示出图1所示半导体集成电路器件的封装布局的例子;
图3是沿着图2的A-A’所取的截面图;
图4示出图1所示半导体集成电路器件的存储器电源中的源极焊盘和漏极焊盘的布置和连接图形的例子;
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