[发明专利]半导体装置以及电子设备

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

半导体区域；

第一电极；

第二电极；

电连接到所述第一电极的第一端子；

电连接到所述第二电极的第二端子；以及

功能电路，

其中所述第一端子设置在所述半导体区域上，

所述半导体区域包括：

具有n型和p型中的一种导电型的第一杂质区域；

在平面图中设置在所述第一杂质区域的内周部的电阻区 域；以及

在所述平面图中设置在所述电阻区域的内周部的具有n型 和p型中的另一种导电型的第二杂质区域，

所述第一杂质区域电连接到所述第一电极，

所述第二杂质区域电连接到所述第二电极，并且

所述功能电路的第一端子电连接到所述第一电极，所述功能电路 的第二端子电连接到所述第二电极。

2.一种半导体装置，包括：

半导体区域；

第一电极；

第二电极；

电连接到所述第一电极的第一端子；

电连接到所述第二电极的第二端子；以及

功能电路，

其中所述第二端子设置在所述半导体区域上，

所述半导体区域包括：

具有n型和p型中的一种导电型的第一杂质区域；

在平面图中设置在所述第一杂质区域的内周部的电阻区 域；以及

在所述平面图中设置在所述电阻区域的内周部的具有n型 和p型中的另一种导电型的第二杂质区域，

所述第一杂质区域电连接到所述第一电极，

所述第二杂质区域电连接到所述第二电极，并且

所述功能电路的第一端子电连接到所述第一电极，所述功能电路 的第二端子电连接到所述第二电极。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中所述功能电路包 括光电转换元件和放大电路。

4.根据权利要求1或2所述的半导体装置，

其中设置有所述功能电路和所述第一电极的多个连接部，

设置有所述功能电路和所述第二电极的多个连接部，

所述功能电路和所述第一电极的所述多个连接部具有均一的电 阻值，

并且所述功能电路和所述第二电极的所述多个连接部具有均一 的电阻值。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中所述功能电路包括光 电转换元件和放大电路。

6.根据权利要求1或2所述的半导体装置，

其中设置有所述第一杂质区域和所述第一电极的多个连接部，

设置有所述第二杂质区域和所述第二电极的多个连接部，

所述第一杂质区域和所述第一电极的所述多个连接部具有均一 的电阻值，

并且所述第二杂质区域和所述第二电极的所述多个连接部具有 均一的电阻值。

7.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中所述电阻区域的 电阻值高于所述第一杂质区域和所述第二杂质区域的电阻值。