[发明专利]半导体装置以及电子设备

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体装置以及电子设备。

背景技术

近年，形成在衬底上的具有特定的功能的电子电路(以下称为功 能电路)被利用于各种各样的电子部件、电子设备等的半导体装置。

作为功能电路，例如可以举出光电转换电路等。一般已知各种具 有用于检测电磁波的光电转换电路的半导体装置(也称为光电转换装 置)，例如对从紫外线到红外线有感知功能的装置被总称为光传感器。 其中对波长为400nm至700nm的可见光区域有感知功能的装置特别 被称为可见光传感器，并且各种可见光传感器被使用于根据人类的生 活环境需要调节照度或控制开或关等的设备类。

具有上述功能电路的半导体装置存在如下问题：由于从外部供给 一定以上的高电压而导致构成电路的元件发生电损坏。例如，有如下 问题：由于静电等，几kV左右的高电压被供给到功能电路，功能电路 由于静电的放电(也称为ESD；Electro Static Discharge)而发生损 坏。在本说明书中，将使元件损坏的绝对值大的电压称为过电压。

对于上述举出的问题，提出一种半导体装置，其中通过设置过电 压保护电路，在从外部有过电压施加到功能电路的情况下，也可以抑 制功能电路的元件的损坏(例如专利文献1)。

例如，作为专利文献1所记载的现有的半导体装置，在过电压施 加时，通过使二极管变成导通状态，可以提高内部电路对过电压的耐 受性。

[专利文献1]日本专利申请公开2006-60191号公报

但是，作为现有的具有设置有过电压保护电路的结构的半导体装 置，在有过电压施加时，由于内部电路的输入部分附近的一部分的元 件被局部地损坏而导致工作不良等，所以对过电压的耐受性不够。另 外还存在由于设置过电压保护电路而导致半导体装置的面积增大等 的问题。

发明内容

鉴于上述问题，本发明的一个方式的目的之一是在不增大面积的 情况下提高对过电压的耐受性。

本发明的一个方式是一种半导体装置，包括：具有第一端子的第 一端子部；具有第二端子的第二端子部；以及具有功能电路的功能电 路部，其中上部包括：设置有第一端子或第二端子的半导体区域；第 一电极；第二电极；电连接到第一电极并成为第一端子的第三电极； 以及电连接到第二电极并成为第二端子的第四电极，并且，半导体区 域包括：电连接到第一电极以及功能电路，并且具有n型和p型中的 一方的导电型的第一杂质区域；在平面图(plane view)中设置在第 一杂质区域的内周部的电阻区域；以及在平面图中设置在电阻区域的 内周部，并电连接到第二电极以及功能电路，且具有n型和p型中的 另一方的导电型的第二杂质区域。

另外，在本发明的一个方式中，还可以采用以下结构：分别设置 多个功能电路和第一电极的连接部、以及功能电路和第二电极的连接 部。其中，功能电路和第一电极的多个连接部的电阻值均一，并且功 能电路和第二电极的多个连接部的电阻值均一。

另外，在本发明的一个方式中，还可以采用以下结构：分别设置 多个第一杂质区域和第一电极的连接部、以及第二杂质区域和第二电 极的连接部。其中，第一杂质区域和第一电极的多个连接部的电阻值 均一，并且第二杂质区域和第二电极的多个连接部的电阻值均一。

另外，在本发明的一个方式中，还可以采用以下结构：电阻区域 的电阻值高于第一杂质区域和第二杂质区域的各电阻值。