[发明专利]驱动电路结构及其修补方法

权利要求书

1.一种驱动电路结构，整合于一显示面板中，其特征在于，该驱动电路结构包括：

多个晶体管，每一晶体管的源极电性连接至一第一电极线、且每一晶体管的漏极电性连接至一第二电极线；

一备用晶体管，该备用晶体管的源极与该第一电极线及/或该备用晶体管的漏极与该第二电极线无电性连接关系；

一栅极电极层及一接触垫，位于一基板上；

一第一绝缘层，位于该栅极电极层及该接触垫上；

一半导体层，位于该栅极电极层上的该第一绝缘层上；

其中该些晶体管的源极及漏极位于该半导体层上方且分别电性连接至该第一电极线及该第二电极线，该第一电极线及/或该第二电极线与部份该接触垫重迭；以及

该备用晶体管的源极及/或漏极延伸至该接触垫上方。

2.根据权利要求1所述的驱动电路结构，其特征在于，该备用晶体管位于该些晶体管的外侧，且该接触垫位于该第一电极线及/或该第二电极线的末端侧。

3.根据权利要求2所述的驱动电路结构，其特征在于，该备用晶体管的源极及/或漏极延伸至该接触垫上方的部份的宽度大于该备用晶体管的源极及/或漏极的不与接触垫重迭部分的宽度，且该备用晶体管的源极及或/漏极延伸至该接触垫上方的部份的长度、该接触垫的宽度、及该第一电极线及/或该第二电极的宽度相同。

4.根据权利要求1所述的驱动电路结构，其特征在于，该备用晶体管夹设于该些晶体管之间，且该第一电极线及/或该第二电极线与该接触垫重迭的部份具有一绕线结构，该绕线结构具有一凸部及一凹部，该绕线结构的凸部凸出该第一电极线及/或该第二电极线，且该绕线部份的凹部与该接触垫重迭。

5.根据权利要求4所述的驱动电路结构，其特征在于，该备用晶体管的源极及/或漏极延伸至该接触垫上方的部份的宽度大于该备用晶体管的源极及/或漏极的不与接触垫重迭部分的宽度，且该备用晶体管的源极及/或漏极延伸 至该接触垫上方的部份的长度小于该第一电极线及/或该第二电极线的宽度。

6.根据权利要求1所述的驱动电路结构，其特征在于，该些晶体管以及该备用晶体管的源极及/或漏极为并联。

7.根据权利要求1所述的驱动电路结构，其特征在于，其作为一显示面板的栅极驱动电路或一位移缓存器。

8.根据权利要求1所述的驱动电路结构，其特征在于，该些晶体管与该些备用晶体管的结构相同。

9.一种驱动电路结构的修补方法，其特征在于，包括：

检测一驱动电路结构，找出一失效晶体管；

隔绝该失效晶体管与一第一电极线及/或一第二电极线的电性连接；以及

电性连接一备用晶体管的源极与该第一电极线及/或电性连接该备用晶体管的漏极与该第二电极线；

其中，该失效晶体管与电性连接的备用晶体管的数目相同；

并且，该驱动电路结构包括一栅极电极层及一接触垫，位于一基板上；

一第一绝缘层，位于该栅极电极层及该接触垫上；以及

一半导体层，位于该栅极电极层上的该第一绝缘层上；

其中该些备用晶体管的源极及漏极位于该半导体层上方且分别电性连接至该第一电极线及该第二电极线，该第一电极线及/或该第二电极线与部份该接触垫重迭；以及

其中该些备用晶体管的源极及/或漏极延伸至该接触垫上方。

10.根据权利要求9所述的驱动电路结构的修补方法，其特征在于，检测该驱动电路结构的方法包括影像对比。

11.根据权利要求9所述的驱动电路结构的修补方法，其特征在于，隔绝该失效的晶体管与第一电极线及/或第二电极线的电性连接的步骤包括激光剥除法。

12.根据权利要求9所述的驱动电路结构的修补方法，其特征在于，电性连接该备用晶体管的源极与该第一电极线及/或电性连接该备用晶体管的漏极与该第二电极线的步骤包括激光焊接。

13.根据权利要求9所述的驱动电路结构的修补方法，其特征在于，该备用晶体管为并联。 

14.根据权利要求9所述的驱动电路结构的修补方法，其特征在于，该备用晶体管位于该些晶体管的外侧，且该接触垫位于该第一电极线及/或该第二电极线的末端侧。