[发明专利]驱动电路结构及其修补方法有效

专利信息
申请号: 200910149909.2 申请日: 2009-06-22
公开(公告)号: CN101582252A 公开(公告)日: 2009-11-18
发明(设计)人: 苏国彰;刘俊欣;江明峯 申请(专利权)人: 友达光电股份有限公司
主分类号: G09G3/36 分类号: G09G3/36;G02F1/1362
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 代理人: 梁 挥;祁建国
地址: 台湾*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 驱动 电路 结构 及其 修补 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种整合于显示面板的栅极驱动电路结构(gatedriver-on-array,GOA),尤其涉及一种可修补设计的栅极驱动电路结构及应用其的显示面板。

背景技术

在科技发展日新月异的时代中,液晶显示器已广泛应用于电子显示产品如电视、计算机屏幕、笔记灵计算机、行动电话或个人数字助理等。液晶显示器具有数据驱动器、扫描驱动器、及液晶显示面板,其中液晶显示面板具有像素阵列,而扫描驱动器用以依序开启像素阵列中对应的像素列,以将数据驱动器输出的像素数据传送至像素,进而显示影像。

在目前众多的面板设计中,大部份采用栅极驱动器与源极驱动器产生栅极脉冲信号与数据信号。在玻璃上制作电路的工艺,多以低温多晶硅(LTPS)的设计为主,主要原因是LTPS工艺的多晶硅拥有较高的迁移率(mobility),因此这种设计而成的电路可行性较高。但为了降低成本,即使是迁移率极低的非晶硅工艺,也渐渐将电路设计在玻璃基板上,如栅极驱动的位移缓存器(shiftregister),即所谓的整合驱动电路。

将位移缓存器电路设计于玻璃基板上(GOA;Gate on array)的产品,在工厂的阵列基板端(array端)进行各道工艺时,往往因为工艺稳定度的影响,使微粒(Particle)落在位移缓存器中的某一晶体管上而使整组的电路无法运作。这将会严重影响GOA产品的良率及成本问题。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于提供一种驱动电路结构及其修补方法,以解决现有技术因工艺稳定度的影响,使微粒(Particle)落在位移缓存器中的某一晶体管上而使整组的电路无法运作进而严重影响GOA产品的良率的问题。

为实现上述目的,本发明提出一种驱动电路结构,整合于显示面板中,驱动电路结构包括多个晶体管,其中每一晶体管的源极电性连接至第一电极线、且每一晶体管的漏极电性连接至第二电极线;以及备用晶体管,其中备用晶体管的源极与第一电极线及/或备用晶体管的漏极与第二电极线无电性连接关系。

而且,为实现上述目的,本发明更提供一种驱动电路结构的修补方法,包括:检测驱动电路结构,找出失效晶体管;隔绝失效晶体管与第一电极线及/或第二电极线的电性连接;以及电性连接备用晶体管的源极与第一电极线及/或电性连接备用晶体管的漏极与第二电极线;其中,失效晶体管与电性连接的备用晶体管的数目相同。

采用本发明的上述的驱动电路结构及对应的修补方法,可确保修补后的晶体管数目不会因修补动作减少,并有效提升良率。

附图说明

图1为本发明一实施例中,显示面板的示意图;

图2为本发明一实施例中,驱动电路结构的电路图;

图3为本发明一实施例中,驱动电路结构的上视图;

图4为本发明一实施例中,驱动电路结构的a-b切线剖视图;

图5为本发明一实施例中,修复动作前的驱动电路结构的c-d切线剖视图;

图6为本发明一实施例中,修复动作后的驱动电路结构的c-d切线剖视图;

图7为本发明一实施例中,驱动电路结构的上视图;以及

图8为本发明一实施例中,驱动电路结构的上视图。

其中,附图标记:

10:基板              11A:备用晶体管

11B:晶体管           13A栅极电极层

13B:接触垫           14:第一绝缘层

15:半导体层          17A:第一电极线

17B:第二电极线       19A:备用晶体管的漏极

19B:晶体管的漏极     21:源极线

23:第二绝缘层        100:显示面板

102:显示区         104:周边线路区

110:显示像素

L:备用晶体管的漏极延伸至接触垫上方的部份的长度

W1:第二电极线的宽度

W2:接触垫宽度

W3:备用晶体管的漏极延伸至接触垫上方的部份的宽度

W4:备用晶体管的漏极宽度

:晶体管漏极与第二电极线电性连接的位置

:备用晶体管/第二电极线与连接垫电性连接的位置

具体实施方式

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