[发明专利]衬底处理设备以及用于为该设备转移衬底的方法有效
申请号: | 200910150135.5 | 申请日: | 2009-07-07 |
公开(公告)号: | CN101625963A | 公开(公告)日: | 2010-01-13 |
发明(设计)人: | 吕英九;崔晋荣;金泰镐 | 申请(专利权)人: | 细美事有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/677 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 | 代理人: | 申 健 |
地址: | 韩国忠清南道天*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 衬底 处理 设备 以及 用于 转移 方法 | ||
1.一种衬底处理设备,其特征在于,包括:
处理模块,用于处理衬底;
主装载单元,布置在所述处理模块的前侧处以用于接收多个容器,每个容 器中容纳有多个衬底,所述处理模块包括导引机械手,所述导引机械手在所述 主装载单元上布置的所述容器与所述处理模块之间转移衬底;
缓冲装载单元,构造成用于接收多个容器;以及
分配单元,布置在所述主装载单元上方以用于在所述主装载单元与所述缓 冲装载单元之间转移容器。
2.根据权利要求1所述的衬底处理设备,其特征在于,所述主装载单元包 括多个构造成分别接收容器且相互平行地布置在所述处理模块的前侧处的装载 端口,以及
所述缓冲装载单元包括多个构造成接收容器的缓冲端口,每个所述缓冲端 口都面对一个所述装载端口。
3.根据权利要求2所述的衬底处理设备,其特征在于,所述缓冲端口布置 在所述主装载单元上方并且可水平地运动进出所述处理模块。
4.根据权利要求3所述的衬底处理设备,其特征在于,所述缓冲装载单元 的所述缓冲端口可独立地水平运动。
5.根据权利要求4所述的衬底处理设备,其特征在于,每个所述缓冲端口 包括:
导轨,布置在所述处理模块中;以及
平台,构造成用于接收容器并且与所述导轨联接以用于沿着所述导轨水平 地运动。
6.根据权利要求4所述的衬底处理设备,其特征在于,所述分配单元布置 在所述缓冲端口上方,并且构造成沿布置所述装载端口的方向水平地运动,从 而转移容器。
7.根据权利要求6所述的衬底处理设备,其特征在于,所述分配单元包括:
转移轨道,沿布置所述装载端口的方向延伸;以及
拾取端口,构造成从所述装载端口和缓冲端口之一拾取容器并沿着所述转 移轨道运动。
8.根据权利要求2所述的衬底处理设备,其特征在于,所述缓冲端口与具 有所述装载端口的所述处理模块相面对,所述装载端口布置在所述缓冲端口与 所述处理模块之间。
9.根据权利要求8所述的衬底处理设备,其特征在于,所述分配单元布置 在所述主装载单元上方并且沿布置所述装载端口的第一方向可水平运动,所述 分配单元沿与所述第一方向垂直的第二方向在所述主装载单元和所述缓冲装载 单元上方可水平运动。
10.根据权利要求9所述的衬底处理设备,其特征在于,所述分配单元包 括:
第一可运动部件,构造成沿所述第二方向水平地运动;
第二可运动部件,布置在所述第一可运动部件下方并联接到所述第一可运 动部件,所述第二可运动部件构造成沿所述第一方向水平地运动;以及
拾取部件,布置在所述第二可运动部件下方并联接到所述第二可运动部件, 所述拾取部件构造成拾取容器并竖直地运动。
11.根据权利要求2所述的衬底处理设备,其特征在于,还包括高架提升 传输单元,构造成在外部区域与所述缓冲装载单元之间转移容器。
12.一种衬底处理设备,其特征在于,包括:
处理模块,用于处理衬底;
多个装载端口,相互平行地布置在所述处理模块的前侧处以用于接收多个 容器,每个容器都容纳有多个衬底,所述处理模块包括导引机械手,所述导引 机械手在所述装载端口上布置的所述容器与所述处理模块之间转移衬底;
多个缓冲端口,直接布置在所述装载端口上方,每个所述缓冲端口面对一 个所述装载端口,并且构造成用于接收容器并水平地运动进出所述处理模块;
分配单元,布置在所述缓冲端口上方并且沿布置所述装载端口的方向可水 平运动,从而在所述缓冲端口与所述装载端口之间转移容器;以及
高架提升传输单元,其构造成在外部区域与所述缓冲端口之间转移容器。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造