[发明专利]衬底处理设备以及用于为该设备转移衬底的方法有效
申请号: | 200910150135.5 | 申请日: | 2009-07-07 |
公开(公告)号: | CN101625963A | 公开(公告)日: | 2010-01-13 |
发明(设计)人: | 吕英九;崔晋荣;金泰镐 | 申请(专利权)人: | 细美事有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/677 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 | 代理人: | 申 健 |
地址: | 韩国忠清南道天*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 衬底 处理 设备 以及 用于 转移 方法 | ||
相关申请的交叉参考
该美国非临时专利申请根据35U.S.C.§119要求享有2008年7月7日 提交的韩国专利申请No.10-2008-0065641的优先权,其整个内容由此通过参考 包含于此。
技术领域
在此公开的本发明涉及一种衬底处理设备,并且更具体地涉及一种衬底处 理设备和用于为该设备转移衬底的方法。
背景技术
在衬底制造方法中,诸如介电薄膜和金属材料的沉积、刻蚀、用光刻胶涂 布、显影、以及灰化的处理重复预定的次数,从而形成精细图案的排列。虽然 在这种衬底制造处理期间执行刻蚀和灰化处理,但是外来物质没有完全从衬底 去除而保留在衬底上。为此,使用去离子水或化学制品可以执行湿法清洁处理 从而去除这种保留的物质。
用于湿法清洁的衬底清洁设备可以分类成整批衬底清洁设备和单一衬底清 洁设备。整批衬底清洁设备可以包括尺寸设计成一次处理大约25至50个衬底 的化学浴池、洗涤槽、以及干浴池。在整批衬底清洁设备处理器中,衬底浸入 到各浴池中达预定时间以用于从衬底去除外来物质。在这种整批衬底清洁设备 中,大量衬底的前侧和后侧二者都可以同时被处理。然而,由于整批衬底清洁 设备的浴池的尺寸与衬底的尺寸成比例,所以整批衬底清洁设备的尺寸和化学 制品消耗随着衬底尺寸的增加而增加。此外,当衬底在化学浴池中清洁时,从 邻近的衬底分离开的外来物质可以重新附着到该衬底。
由于最近使用的衬底的尺寸是大的,所以广泛地使用单一衬底清洁设备。 在单一衬底清洁设备的情况下,在能够一次仅处理单个衬底的较小的室中执行 衬底清洁处理。具体地,在单一衬底清洁设备中,衬底固定到室中布置的卡盘, 并且在使用马达旋转衬底的同时通过喷嘴将化学制品或去离子水供应到衬底的 顶面。由于衬底被旋转,所以化学制品或去离子水可以散布在衬底上,并且外 来物质可以通过散布化学制品或去离子水而从衬底去除。这种单一衬底清洁设 备与整批处理器相比较时较小且适于均匀地清洁衬底。
通常,单个处理器包括从单一衬底清洁设备的一侧布置的多个装载端口、 一个导引机械手、一个缓冲单元、多个处理室、以及主转移机械手。在装载端 口上分别布置有容纳衬底的前开式标准舱(FOUP,Front opening unified pods)。 导引机械手将容纳在FOUP中的衬底运送到缓冲单元,并且主转移机械手将衬底 从缓冲单元转移到处理室。衬底在处理室中清洁以后,主转移机械手将衬底从 处理室运送到缓冲单元,并且导引机械手从缓冲单元取出衬底并将其放到FOUP 中。清洁过的衬底如上所述容纳在FOUP中以后,FOUP被运送到外部。
通常,由高架提升传输(OHT,overhead hoist transport)单元转移FOUP。 详细地,OHT将容纳未清洁的衬底的FOUP转移至空装载端口,并且OHT从装载 端口拾取容纳清洁过衬底的FOUP并将该FOUP转移到外部区域。
由于这种OHT以低速操作,使用该OHT转移FOUP所耗费的时间多于从FOUP 提取未清洁的衬底和将清洁过的衬底放到FOUP中所耗费的时间。另外,因为相 关技术的发展提高了清洁设备的效率,所以缩短了用于清洁衬底所必需的时间; 然而,OHT的速度仍然是低的。因此,FOUP不能有效地通过使用OHT转移,由 此增加清洁设备的空闲时间并降低制造过程的生产率。
发明内容
本发明提供一种具有提高的衬底转移效率的衬底处理设备。
本发明还提供一种用于为该设备转移衬底的方法。
本发明的实施例提供的衬底处理设备包括处理模块、主装载单元、缓冲装 载单元、以及分配单元。
处理模块构造成处理衬底。主装载单元布置在处理模块的前侧处以用于接 收每个都容纳多个衬底的多个容器,并且主装载单元构造成使得在主装载单元 上布置的容器与处理模块之间转移衬底。缓冲装载单元构造成接收多个容器。 分配单元布置在主装载单元上方以用于在主装载单元与缓冲装载单元之间转移 容器。
在本发明的其它实施例中,衬底处理设备包括处理模块、多个装载端口、 多个缓冲端口、分配单元、以及高架提升传输单元。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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