[发明专利]检测结构与线上晶片监测方法

权利要求书

1.一种线上晶片监测方法，包括：

提供晶片；

于该晶片上形成至少一检测结构，包括：

于该晶片中形成N型井区与P型井区，该N型井区与该P型井区为分开配置；

分别于该N型井区上与该P型井区上形成栅极；

分别于各该栅极两侧的该N型井区中与该P型井区中形成P型掺杂区；以及

于各该P型掺杂区上形成第一接触窗插塞，且于各该栅极上形成第二接触窗插塞；以及

利用电子束检测系统进行缺陷检测，以检测各该第一接触窗插塞与各该栅极之间的短路。

2.如权利要求1所述的线上晶片监测方法，还包括于该晶片上形成至少一元件结构。

3.如权利要求2所述的线上晶片监测方法，其中该检测结构与该元件结构同时形成。

4.如权利要求2所述的线上晶片监测方法，其中该元件结构包括互补式金属氧化物半导体。

5.如权利要求1所述的线上晶片监测方法，其中该检测结构形成于该晶片的切割道。

6.如权利要求5所述的线上晶片监测方法，其中该检测结构形成于曝光区与曝光区之间的该切割道。

7.如权利要求5所述的线上晶片监测方法，其中该检测结构形成于管芯与管芯之间的该切割道。

8.如权利要求1所述的线上晶片监测方法，其中该检测结构形成于曝光区角落的测试键上。

9.如权利要求1所述的线上晶片监测方法，其中该检测结构形成于该晶片的曝光区中。

10.如权利要求1所述的线上晶片监测方法，其中该检测结构形成于该晶片的管芯中。

11.如权利要求1所述的线上晶片监测方法，其中该晶片仅包括该检测结构。

12.如权利要求1所述的线上晶片监测方法，其中在利用该电子束检测系统进行缺陷检测的步骤中，当该第二接触窗插塞呈现亮点时，该第一接触窗插塞与该栅极发生短路。

13.一种检测结构，配置于晶片上，且适于以电子束检测系统进行检测，该检测结构包括：

第一区域，包括：

P型井区，配置于该晶片中；

第一栅极，配置于该P型井区上；

第一P型掺杂区，配置于该第一栅极两侧的该P型井区中；以及

两个第一接触窗插塞，分别配置于该第一P型掺杂区上与该第一栅极上；以及

第二区域，与该第一区域分开配置，该第二区域包括：

N型井区，配置于该晶片中；

第二栅极，配置于该N型井区上；

第二P型掺杂区，配置于该第二栅极两侧的该N型井区中；以及

两个第二接触窗插塞，分别配置于该第二P型掺杂区上与该第二栅极上。

14.如权利要求13所述的检测结构，其中该第一区域的图案密度大于该第二区域的图案密度。

15.如权利要求13所述的检测结构，其中该检测结构位于该晶片的切割道。

16.如权利要求15所述的检测结构，其中该检测结构位于曝光区与曝光区之间的该切割道。

17.如权利要求15所述的检测结构，其中该检测结构位于管芯与管芯之间的该切割道。

18.如权利要求13所述的检测结构，其中该检测结构位于曝光区角落的测试键上。

19.如权利要求13所述的检测结构，其中该检测结构位于该晶片的曝光区中。

20.如权利要求13所述的检测结构，其中该检测结构位于该晶片的管芯中。

21.如权利要求13所述的检测结构，其中该晶片上仅包括该检测结构。