[发明专利]基板间的连接方法、倒装片组件以及基板间连接结构有效
申请号: | 200910150343.5 | 申请日: | 2009-06-23 |
公开(公告)号: | CN101621011A | 公开(公告)日: | 2010-01-06 |
发明(设计)人: | 泽田享;中谷诚一;辛岛靖治;北江孝史 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/60;H01L21/56;H01L23/48 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 汪惠民 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 基板间 连接 方法 倒装 组件 以及 结构 | ||
1.一种基板间的连接方法,与具有多个第一电极的第一基板相向地 设置具有多个第二电极的第二基板,通过连接体使所述第一电极和所述 第二电极电连接,其特征在于:
包括:
工序a,将含有导电性粒子和气泡产生剂的树脂,供向所述第一基 板和所述第二基板之间的至少覆盖所述多个第一电极及第二电极的区 域,
工序b,加热所述树脂,使包含在所述树脂中的所述气泡产生剂产 生气泡,以及
工序c,加热所述树脂,使包含在所述树脂中的所述导电性粒子熔 化;
在所述工序a中,在所述树脂的边缘部附近,设置有将所述第一基 板和所述第二基板之间封闭起来的隔壁部件,并且没有设置所述隔壁部 件的所述树脂的边缘部朝外部开放,
在所述工序b中,所述树脂由于所述气泡产生剂所产生的气泡的增 大被该气泡向外推出,而被引导到所述第一电极和所述第二电极之间, 并且所述气泡从朝所述外部开放的所述树脂的边缘部向外部排出,
在所述工序c中,已被引导到所述电极间的所述树脂中所含有的导 电性粒子熔化,在所述电极间形成所述连接体。
2.根据权利要求1所述的基板间的连接方法,其特征在于:
在所述工序b中,在所述树脂中产生的所述气泡,由于所述隔壁部 件附近与外部之间的压力差,而被引导到朝所述外部开放的所述树脂的 边缘部后向外部排出。
3.根据权利要求1所述的基板间的连接方法,其特征在于:
在所述工序a中,所述隔壁部件设置为与所述树脂的边缘部相邻。
4.根据权利要求1所述的基板间的连接方法,其特征在于:
所述多个第一电极及所述多个第二电极,分别在所述第一基板及所 述第二基板上形成为阵列状,
所述隔壁部件,沿着形成为所述阵列状的电极区域的周边的至少一 条边设置。
5.根据权利要求1所述的基板间的连接方法,其特征在于:
所述多个第一电极及所述多个第二电极,分别形成在所述第一基板 及所述第二基板的周边,
所述隔壁部件,设置在位于所述基板周边的电极区域的内侧。
6.根据权利要求1所述的基板间的连接方法,其特征在于:
所述多个第一电极及所述多个第二电极,分别彼此平行地形成为线 状,
所述隔壁部件,设置在与形成为所述线状的电极正交的方向上。
7.根据权利要求1所述的基板间的连接方法,其特征在于:
所述多个第一电极及所述多个第二电极,分别彼此平行地形成为线 状,
所述隔壁部件,在形成为所述线状的电极区域的周边,设置在与形 成为所述线状的电极平行的方向上。
8.根据权利要求1所述的基板间的连接方法,其特征在于:
在所述工序b或所述工序c之后,还包括除去所述隔壁部件的工序。
9.根据权利要求1所述的基板间的连接方法,其特征在于:
在所述第一基板及所述第二基板中的至少一个基板上设有产生气 泡的气泡产生源,以取代使所述树脂含有所述气泡产生剂,
在所述工序b中,所述气泡由所述气泡产生源产生。
10.根据权利要求1所述的基板间的连接方法,其特征在于:
所述第一基板及所述第二基板,由电路基板或半导体芯片形成。
11.一种倒装片组件,在电路基板上装有半导体芯片,其特征在于:
在所述电路基板及所述半导体芯片之间,利用权利要求1所述的基 板间的连接方法,通过连接体使形成在所述电路基板及所述半导体芯片 上的电极彼此电连接。
12.一种基板间连接结构,使具有多个电极的电路基板彼此电连接, 其特征在于:
在所述电路基板间,利用权利要求1所述的基板间的连接方法,通 过形成在所述电极间的连接体使所述电路基板彼此电连接。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于松下电器产业株式会社,未经松下电器产业株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910150343.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:有机发光器件的制造方法
- 下一篇:等离子体蚀刻方法和控制程序
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造