[发明专利]发光装置、面光源及发光装置用封装件的制造方法有效
申请号: | 200910150345.4 | 申请日: | 2009-06-23 |
公开(公告)号: | CN101614339A | 公开(公告)日: | 2009-12-30 |
发明(设计)人: | 小西正宏;近藤正树;堀尾隆昭;松尾孝信;幡俊雄;太田清久 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | F21S2/00 | 分类号: | F21S2/00;F21V7/00;F21V7/05;F21V23/06;F21V19/00;F21V7/22;F21V29/00;F21V9/10;H01L33/00;F21Y101/02 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 汪惠民 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 装置 光源 封装 制造 方法 | ||
1.一种发光装置,其在基板的上方具有射出光的半导体装置及多个 外部连接端子,还具备:
光反射层,其形成于所述基板上,反射来自所述半导体装置的射出光;
被覆层,其至少被覆所述光反射层,且使由所述光反射层反射的光透 过;
所述被覆层包含玻璃,
所述半导体装置形成于所述被覆层上,并且,经由连接部与所述外部 连接端子进行电连接,
以覆盖所述被覆层的至少一部分、所述半导体装置和所述连接部的方 式形成有密封树脂。
2.根据权利要求1所述的发光装置,其中,
所述光反射层具有90%以上的光反射率。
3.根据权利要求1所述的发光装置,其中,
所述光反射层包含银或以银为主成分的银合金。
4.根据权利要求1所述的发光装置,其中,
所述基板以陶瓷为基材。
5.根据权利要求4所述的发光装置,其中,
所述基板以低温同时烧成陶瓷为基材。
6.根据权利要求5所述的发光装置,其中,
所述低温同时烧成陶瓷是将玻璃粉末和陶瓷粉末作为材料而烧成的。
7.根据权利要求6所述的发光装置,其中,
所述玻璃粉末包括:硅玻璃、钠钙玻璃、硼硅酸盐玻璃、铝硅酸盐玻 璃或磷酸盐玻璃。
8.根据权利要求6所述的发光装置,其中,
所述陶瓷粉末包括:SiO2、Al2O3、ZrO2、TiO2、ZnO、MgAl2O4、 ZnAl2O4、MgSiO3、MgSiO4、Zn2SiO4、Zn2TiO4、SrTiO3、CaTiO3、 MgTiO3、BaTiO3、CaMgSi2O6、SrAl2Si2O8、BaAl2Si2O8、CaAl2Si2O8、 Mg2Al4Si5O18、Zn2Al4Si5O18、AlN、SiC、富铝红柱石或沸石。
9.根据权利要求1所述的发光装置,其中,
所述被覆层的所述玻璃包含:硅玻璃、钠钙玻璃、硼硅酸盐玻璃、铝 硅酸盐玻璃或磷酸盐玻璃。
10.根据权利要求1所述的发光装置,其中,
所述半导体装置为发光二极管芯片,
所述被覆层是玻璃,
所述连接部包含配线图案及接合引线,
所述配线图案相互平行地且相互隔着间隔形成于所述基板上或所述 被覆层上,
所述半导体装置在所述配线图案之间设置有多个,
所述配线图案和所述半导体装置借助所述接合引线连接。
11.根据权利要求1所述的发光装置,其中,
在所述基板内具备包括金属的散热导柱,该散热导柱与所述光反射 层、所述外部连接端子或其两者分别接合。
12.根据权利要求11所述的发光装置,其中,
所述散热导柱形成在相对于所述基板表面垂直的方向上。
13.根据权利要求11所述的发光装置,其中,
所述散热导柱包含:银或以银为主成分的银合金。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于夏普株式会社,未经夏普株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910150345.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种可预防桥头跳车的桥台结构及防治方法
- 下一篇:一种高强复合材料垫板系统