[发明专利]发光装置、面光源及发光装置用封装件的制造方法有效
申请号: | 200910150345.4 | 申请日: | 2009-06-23 |
公开(公告)号: | CN101614339A | 公开(公告)日: | 2009-12-30 |
发明(设计)人: | 小西正宏;近藤正树;堀尾隆昭;松尾孝信;幡俊雄;太田清久 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | F21S2/00 | 分类号: | F21S2/00;F21V7/00;F21V7/05;F21V23/06;F21V19/00;F21V7/22;F21V29/00;F21V9/10;H01L33/00;F21Y101/02 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 汪惠民 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 装置 光源 封装 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及具备发光二极管(LED)芯片、和用于将来自该LED芯 片的光效率良好地向外部取出的反射层的发光装置,尤其涉及防止上述反 射层的变质、劣化、及反射率的降低的发光装置。
背景技术
图11是表示使用了LTCC(低温同时烧成陶瓷:Low Temperature Co -fired Ceramics)基板的以往的发光装置的剖面图(参照专利文献1)。上 述发光装置包括:LTCC基板50、银环氧物52、反射阻挡层51、透明环 氧物53、及LED块(英文:LCD dies)54。在本以往例中,自LED块54 的射出光被反射阻挡层51反射,射出光的损失减少。另外,自LED块54 的热量通过反射阻挡层51向关联的热扩散部(未图示)、及LTCC基板50 散热。使用了LTCC基板的发光装置的LTCC封装件尤其适合将由稠密地 塞满的LED块或LED阵列产生的热量分散。
图12是表示具有引线接合的LTCC芯片载体的剖面图(参照专利文 献2)。该LTCC芯片载体在母板65上依次具备散热片67、第二层LTCC61、 及顶部层LTCC60。顶部层LTCC60在中央具有空洞。在空洞内使第二层 LTCC61贯通地形成的导热孔62上用粘接剂等固定有一个LED芯片4。 LED芯片4利用金属线90与在第二层LTCC61上形成的第二层端子64引 线接合连接。第二层端子64经由导孔68与在顶部层LTCC60上形成的顶 部端子63连接。进而,顶部端子63利用金属线91与在母板65上形成的 外部端子66引线接合连接。顶部端子63、第二层端子64、外部端子66、 及散热片67利用能够同时烧成的导体来形成。利用环氧树脂69或其他有 机材料,密封包含LED芯片的顶部层LTCC60内的空洞。进而,为了热 量散失,在母板65的下侧利用各种方法设置有吸热设备70。
LTCC具有比有机材料高的固有的热传导率。另外,通过具备导热孔 62及金属化的导体面,能够进一步提高热传导率,能够改进发光装置的散 热性。
另外,作为用于提高LED的发光效率的技术,提出了在LED的发光 层和支撑基板之间设置金属反射层的技术(参照非专利文献1)。其中,通 过金属反射层反射从LED照射的向支撑基板侧的光,能够提高LED的发 光量。
专利文献1
特表2007-533082号公报(2007年11月15日公布)
专利文献2
特开2007-129191号公报(2007年5月24日公开)
非专利文献1
日立电线(日立电线株式会社、“开发65流明/瓦特的高亮度红色LED 芯片”、新闻发行:制品、[在线]、2007年12月17日、日立电线株式会 社、[2008年5月1日检索]、互联网 (http://www.hitachi-cable.co.jp/products/news/20071217.html)
然而,在上述以往的结构中,产生下述问题。
LTCC基板是包括陶瓷和玻璃的复合材料的基板。根据材料,LTCC 基板使来自LED芯片的光透过或被吸收,由此导致发光输出的降低。然 而,专利文献1、2中举出的上述以往的结构中,对于LTCC基板表面上 的光反射及光透过对策,没有采取任何对策。另外,在上述以往的结构中, 形成为在LED芯片搭载面的横向具有段差的结构,因此,导致射出光的 损失。因此,上述以往的结构不成为实现高功率LED的结构。
另外,在非专利文献1所示的结构中,上述金属反射层存在如下所述 问题,即:例如,由于外界的水分或氧等,导致变质或劣化、进而由此引 起的反射率的降低。
发明内容
本发明是鉴于上述问题而做成的,其目的在于提供提高光的取出效 率,且防止反射层的变质、劣化、及反射率的降低的发光装置。
本发明的发光装置在基板的上方具有射出光的半导体装置及多个外 部连接端子,还具有:光反射层,其形成于所述基板上,反射来自所述半 导体装置的射出光;被覆层,其至少被覆所述光反射层,且使在所述光反 射层反射的光透过,所述半导体装置形成于所述被覆层上,并且,经由连 接部与所述外部连接端子电连接,以覆盖所述半导体装置和所述连接部的 方式用密封树脂密封。
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