[发明专利]缓冲板以及基板处理装置有效
申请号: | 200910150475.8 | 申请日: | 2009-06-23 |
公开(公告)号: | CN101615575A | 公开(公告)日: | 2009-12-30 |
发明(设计)人: | 饭塚八城 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/3065;H01L21/311;H01L21/3213;H05H1/24 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙 淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 缓冲 以及 处理 装置 | ||
1.一种缓冲板,其特征在于:
该缓冲板被设置于在内部处理基板的处理腔室内的、用于载置所述基板的载置台的周围,并且该缓冲板具有多个排气孔,用于经由这些排气孔对所述处理腔室内进行排气,
该缓冲板由层叠多个板状部件的层叠体构成,在该缓冲板的内部形成有压力调整用气体供给流路,该压力调整用气体供给流路供给用于对所述处理腔室内的压力进行调整的压力调整用气体。
2.如权利要求1所述的缓冲板,其特征在于:
所述压力调整用气体供给流路包括:气体导入部,该气体导入部在所述缓冲板的内周部的规定位置设置有一个;与所述气体导入部连接并且沿着所述缓冲板的内周部形成为环状的内周侧气体供给流路;从所述内周侧气体供给流路呈放射状向外周方向延伸的多个径向气体供给流路;和从该径向气体供给流路向着上方延伸的、在所述缓冲板的上面侧开口的多个厚度方向气体供给流路,
所述压力调整用气体通过所述内周侧气体供给流路、所述径向气体供给流路和所述厚度方向气体供给流路,从形成于所述缓冲板的上侧面的所述厚度方向气体供给流路的多个开口向着上方供给所述压力调整用气体。
3.如权利要求1所述的缓冲板,其特征在于:
所述压力调整用气体供给流路包括:气体导入部,该气体导入部在所述缓冲板的内周部的规定位置设置有一个;与所述气体导入部连接并且沿着所述缓冲板的内周部形成为环状的内周侧气体供给流路;从所述内周侧气体供给流路呈放射状向外周方向延伸的多个径向气体供给流路;和从该径向气体供给流路向着下方延伸的、在所述缓冲板的下面侧开口的多个厚度方向气体供给流路,
所述压力调整用气体通过所述内周侧气体供给流路、所述径向气体供给流路和所述厚度方向气体供给流路,从形成于所述缓冲板的下侧面的所述厚度方向气体供给流路的多个开口向着下方供给所述压力调整用气体。
4.如权利要求1所述的缓冲板,其特征在于:
向所述排气孔内供给所述压力调整用气体。
5.如权利要求1~4中任一项所述的缓冲板,其特征在于:
能够针对沿着所述载置台的周方向的多个区域的每一个独立地控制所述压力调整用气体的供给量。
6.如权利要求1~4中任一项所述的缓冲板,其特征在于:
供给氩气或者氮气作为所述压力调整用气体。
7.如权利要求1~4中任一项所述的缓冲板,其特征在于:
该缓冲板还包括能够供给高频电力或者设定为规定电位的电极。
8.如权利要求1~4中任一项所述的缓冲板,其特征在于:
该缓冲板还包括温度调节机构。
9.一种基板处理装置,其特征在于,包括:
在内部处理基板的处理腔室;
设置在所述处理腔室内,用于载置所述基板的载置台;
向所述处理腔室内供给处理气体的处理气体供给机构;和
缓冲板,该缓冲板被设置在所述载置台的周围,且具有多个排气孔,用于经由这些排气孔从所述处理腔室内进行排气,
该缓冲板由层叠多个板状部件的层叠体构成,在该缓冲板的内部形成有压力调整用气体供给流路,该压力调整用气体供给流路供给用于对所述处理腔室内的压力进行调整的压力调整用气体。
10.如权利要求9所述的基板处理装置,其特征在于:
所述压力调整用气体供给流路包括:气体导入部,该气体导入部在所述缓冲板的内周部的规定位置设置有一个;与所述气体导入部连接并且沿着所述缓冲板的内周部形成为环状的内周侧气体供给流路;从所述内周侧气体供给流路呈放射状向外周方向延伸的多个径向气体供给流路;和从该径向气体供给流路向着上方延伸的、在所述缓冲板的上面侧开口的多个厚度方向气体供给流路,
所述压力调整用气体通过所述内周侧气体供给流路、所述径向气体供给流路和所述厚度方向气体供给流路,从形成于所述缓冲板的上侧面的所述厚度方向气体供给流路的多个开口向着上方供给所述压力调整用气体。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造