[发明专利]缓冲板以及基板处理装置

说明书

技术领域

本发明涉及在基板的等离子体处理等中所使用的缓冲板以及基板处理装置。

背景技术

在现有技术中，例如在半导体装置的制造过程中，使用基板处理装置，将半导体晶片、液晶显示装置用的玻璃基板等的基板收容在处理腔室内并对其进行规定的处理。作为这种基板处理装置，例如公知有下述结构：在处理腔室内设置有用于载置基板的载置台，并且以与该载置台相对的方式设置有用于供给处理气体的喷淋头，向载置于载置台上的基板供给处理气体。此外，还公知有下述内容：以包围载置台的周围的方式设置有具有多个排气孔(由圆孔、长孔、多边形孔等构成)的缓冲板(也称为排气板)，经由这些缓冲板的排气孔对处理腔室内进行排气。

在上述结构的基板处理装置中，经由设置在载置台周围的缓冲板从载置台的周围进行排气，由此，能够使处理腔室内的压力以及处理气体的流动均匀化，实现基板表面的处理的均匀化。此外，公知有下述技术：对于在处理腔室内产生等离子体进行基板的处理的基板处理装置中，设置上述缓冲板，此外通过对该缓冲板施加电压，以阻止来自于处理空间的等离子体的泄露(例如参照专利文献1)。

专利文献1：日本特开2004-6574号公报

在上述的现有技术中，通过在载置台的周围设置具有多个排气孔的缓冲板，进行来自于载置台的周围的排气的均匀化、等离子体的封闭等。然而，即便在使用上述的缓冲板时，在基板上的处理空间中，因为形成从基板的中央部向着周缘部的处理气体的流动，所以，例如与基板的中央部等相比，在基板的周缘部存在处理速度缓慢等的处理的均匀性(面内均匀性)降低的问题。

发明内容

本发明是鉴于上述现有技术的问题而提出的，其目的在于提供一种与现有技术相比能够实现处理的均匀性的提高的缓冲板以及基板处理装置。

本发明第一方面的缓冲板，其特征在于：该缓冲板被设置于在内部处理基板的处理腔室内的、用于载置所述基板的载置台的周围，并且该缓冲板具有多个排气孔，用于经由这些排气孔对所述处理腔室内进行排气，该缓冲板由层叠多个板状部件的层叠体构成，在该缓冲板的内部形成有压力调整用气体供给流路，该压力调整用气体供给流路供给用于调整所述处理腔室内的压力的压力调整用气体。

本发明第二方面的缓冲板，其特征在于：在第一方面所述的缓冲板中，从缓冲板的上侧面向着上方供给所述压力调整用气体。

本发明第三方面的缓冲板，其特征在于：在第一方面所述的缓冲板中，从缓冲板的下侧面向着下方供给所述压力调整用气体。

本发明第四方面的缓冲板，其特征在于：在第一方面所述的缓冲板中，向所述排气孔内供给所述压力调整用气体。

本发明第五方面的缓冲板，其特征在于：在第一～第四方面中的任一方面所述的缓冲板中，能够针对沿着所述载置台的周方向的多个区域的每一个独立地控制所述压力调整用气体的供给量。

本发明第六方面的缓冲板，其特征在于：在第一～第五方面中的任一方面所述的缓冲板中，供给氩气或者氮气作为所述压力调整用气体。

本发明第七方面的缓冲板，其特征在于：在第一～第六方面中的任一方面所述的缓冲板中，该缓冲板还包括能够供给高频电力或者设定为规定电位的电极。

本发明第八方面的缓冲板，其特征在于：在第一～第七方面中的任一方面所述的缓冲板中，该缓冲板还包括温度调节机构。

本发明第九方面的基板处理装置，其特征在于，包括：在内部处理基板的处理腔室；设置在所述处理腔室内，用于载置所述基板的载置台；向所述处理腔室内供给处理气体的处理气体供给机构；和缓冲板，该缓冲板被设置在所述载置台的周围，且具有多个排气孔，用于经由这些排气孔从所述处理腔室内进行排气，该缓冲板由层叠多个板状部件的层叠体构成，在该缓冲板的内部形成有压力调整用气体供给流路，该压力调整用气体供给流路供给用于对所述处理腔室内的压力进行调整的压力调整用气体。

本发明第十方面的基板处理装置，其特征在于：在第九方面所述的基板处理装置中，从缓冲板的上侧面向着上方供给所述压力调整用气体。

本发明第十一方面的基板处理装置，其特征在于：在第九方面所述的基板处理装置中，从缓冲板的下侧面向着下方供给所述压力调整用气体。

本发明第十二方面的基板处理装置，其特征在于：在第九方面所述的基板处理装置中，向所述排气孔内供给所述压力调整用气体。

本发明第十三方面的基板处理装置，其特征在于：在第九～十二方面中的任一方面所述的基板处理装置中，能够针对沿着所述载置台的周方向的多个区域的每一个独立地控制所述压力调整用气体的供给量。