[发明专利]半导体存储装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体存储装置的制造方法，该半导体存储装置具有：形成存储单元晶体管的存储单元区域、和形成进行所述存储单元晶体管的动作控制的外围电路的外围电路区域，其中包括如下步骤：

在半导体衬底的主表面上选择性地形成隔离区域，并规定活性区域；

在所述活性区域上形成第1绝缘膜；

在所述存储单元区域形成所述第1导电膜；

在所述存储单元区域，对所述第1导电膜进行构图，形成导电膜图形，在该导电膜图形中，在成为能够起到源区作用的第1杂质区域的区域上具有开口部；

将所述存储单元区域的所述导电膜图形作为掩模，对所述半导体衬底的主表面引入杂质；

覆盖所述导电膜图形，形成由第1硅氧化膜、硅氮化膜以及第2硅氧化膜形成的能够蓄积电荷的第2绝缘膜；

在所述第2绝缘膜上形成第2导电膜；

在所述存储单元区域，对所述第2导电膜进行刻蚀，在所述导电膜图形的开口部的侧面，同时形成两个所述存储单元晶体管的侧墙状的存储器栅极；

在所述存储单元区域，将所述导电膜图形和所述两个存储器栅极作为掩模，形成所述第1杂质区域；

在所述存储单元区域，对所述导电膜图形中的能够起到漏区作用的第2杂质区域所在的区域进行刻蚀并进行构图，同时，对形成在所述外围电路区域上的晶体管的栅极进行形成；以及

对所述半导体衬底的主表面引入杂质，形成所述存储单元晶体管的所述第2杂质区域、以及形成在所述外围电路区域上的晶体管的源区和漏区。

2.如权利要求1记载的半导体存储装置的制造方法，其中

对所述第1导电膜进行构图形成所述导电膜图形的步骤包括：在形成为所述存储单元晶体管的所述第1杂质区域的区域上残留所述第1导电膜的残留部的步骤，

所述第2绝缘膜的形成步骤包括以覆盖所述残留部的方式形成所述第2绝缘膜的步骤，

形成所述存储器栅极步骤包括：在所述残留部的周围形成连接部，该连接部是将对置配置的所述存储器栅极连接为一体的连接部，

还具有在所述连接部上形成接触部的步骤。

3.一种半导体存储装置的制造方法，该半导体存储装置具有：形成存储单元晶体管的存储单元区域、和形成进行所述存储单元晶体管的动作控制的外围电路的外围电路区域，其中包括如下步骤：

在半导体衬底的主表面上选择性地形成隔离区域，并规定活性区域；

在所述活性区域上形成第1绝缘膜；

在所述第1绝缘膜上形成第1导电膜；

在所述存储单元区域，对所述第1导电膜实施构图，在形成为可起到源区功能的第1杂质区域的区域上具有开口部，并且，在所述开口部的长度方向的两端部侧同时刻蚀凹部；

在所述存储单元区域，将所述导电膜图形作为掩模，对所述半导体衬底的主表面引入杂质；

覆盖所述导电膜图形，形成由第1硅氧化膜、硅氮化膜以及第2硅氧化膜形成的可蓄积电荷的第2绝缘膜；

在所述第2绝缘膜上形成第2导电膜；

在所述存储单元区域，对所述第2导电膜实施刻蚀，在所述导电膜图形的开口部的侧面，同时形成两个存储单元晶体管的侧墙状的存储器栅极；

在所述存储单元区域，将所述导电膜图形和两个存储器栅极作为掩模，形成第1杂质区域；

在所述存储单元区域，对所述导电膜图形中的、可起到漏区作用的第2杂质区域所在的区域进行刻蚀，形成包围所述第1杂质区域周围的环状的控制栅极；以及

在所述半导体衬底的主表面上引入杂质，形成所述第2杂质区域，

所述两个存储单元晶体管的第1存储器栅极和第2存储器栅极被布线连接到存储单元区域的端部。

4.如权利要求3记载的半导体存储装置的制造方法，其中

在所述第2绝缘膜上形成第2导电膜的步骤还包括如下步骤：在所述凹部内填充所述第2导电膜，由此形成焊盘部，该焊盘部连接有能够对所述存储器栅极施加电压的电压施加部。

5.如权利要求3记载的半导体存储装置的制造方法，其中

还具有在所述控制栅极的上表面上形成硅化物膜的步骤。

6.如权利要求3记载的半导体存储装置的制造方法，其中

形成包围所述第1杂质区域周围的环状的控制栅极的同时，对形成在所述外围电路区域上的晶体管的栅极进行形成。