[发明专利]无核心封装基板的制造方法有效

专利信息
申请号: 200910150829.9 申请日: 2009-06-16
公开(公告)号: CN101924037A 公开(公告)日: 2010-12-22
发明(设计)人: 王建皓;李明锦 申请(专利权)人: 日月光半导体制造股份有限公司
主分类号: H01L21/48 分类号: H01L21/48;H01L23/13;H01L23/498
代理公司: 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 代理人: 翟羽
地址: 中国台湾高*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 核心 封装 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种无核心封装基板的制造方法,其特征在于:所述制造方法包含:

提供一临时核心层;

在所述临时核心层的二侧分别依序堆叠一第一金属箔层、一第一介电层及第二金属箔层,其中所述第一金属箔层具有一平坦表面及一粗糙表面,所述平坦表面朝向所述临时核心层,及所述粗糙表面朝向所述第一介电层;对每一所述第二金属箔层进行图案化,以分别形成一第二电路层;

在每一所述第二电路层外堆叠至少一增层结构,所述增层结构包含一增层介电层及一增层金属箔层;及

移除所述临时核心层,以得到二无核心封装基板,每一所述无核心封装基板至少包含所述第一金属箔层、第一介电层、第二电路层及至少一增层结构。

2.如权利要求1所述的无核心封装基板的制造方法,其特征在于:在提供所述临时核心层的步骤中,所述临时核心层为含有B阶段热固性树脂的核心层。

3.如权利要求1所述的无核心封装基板的制造方法,其特征在于:在提供所述临时核心层及压合所述第一金属箔层的步骤中,所述临时核心层的每一侧具有一临时粘性表面,以结合于所述第一金属箔层的平坦表面。

4.如权利要求3所述的无核心封装基板的制造方法,其特征在于:在堆叠所述第一金属箔层、第一介电层及第二金属箔层的步骤后,进行加热处理,以永久性去除所述临时核心层的临时粘性表面的粘性。

5.如权利要求1所述的无核心封装基板的制造方法,其特征在于:在提供所述临时核心层及压合所述第一金属箔层的步骤中,所述临时核心层的每一侧具有一金属支撑层,所述金属支撑层具有一粗糙表面及一平坦表面,所述金属支撑层的粗糙表面结合于所述临时核心层的表面,及所述金属支撑层的平坦表面结合于所述第一金属箔层的平坦表面。

6.如权利要求5所述的无核心封装基板的制造方法,其特征在于:所述临时核心层的金属支撑层的厚度大于所述第一金属箔层的厚度。

7.如权利要求1所述的无核心封装基板的制造方法,其特征在于:在堆叠所述增层结构的步骤后及移除所述临时核心层的步骤前,另对所述增层结构的增层介电层及增层金属箔层进行钻孔、填孔及图案化,以形成数个导通孔及一增层电路层。

8.如权利要求1所述的无核心封装基板的制造方法,其特征在于:在得到所述无核心封装基板的步骤后,另对所述无核心封装基板的第一金属箔层及第一介电层进行钻孔、填孔及图案化,以形成一第一电路层及数个导通孔。

9.如权利要求8所述的无核心封装基板的制造方法,其特征在于:在形成所述第一电路层的步骤后,在所述第一电路层上形成一防焊层,并对所述防焊层进行图案化,以形成数个开口,裸露一部分的所述第一电路层,以提供数个焊垫。

10.如权利要求1所述的无核心封装基板的制造方法,其特征在于:在得到所述无核心封装基板的步骤后,另对所述增层结构的增层介电层及增层金属箔层进行钻孔、填孔及图案化,以形成数个导通孔及一增层电路层。

11.如权利要求10所述的无核心封装基板的制造方法,其特征在于:在形成所述增层电路层的步骤后,在所述增层电路层上形成一防焊层,并对所述防焊层进行图案化,以形成数个开口,裸露一部分的所述增层电路层,以提供数个焊垫。

12.如权利要求9或11所述的无核心封装基板的制造方法,其特征在于:在形成所述防焊层及焊垫的步骤后,在所述焊垫的表面形成一助焊层。

13.如权利要求12所述的无核心封装基板的制造方法,其特征在于:所述助焊层选自电镀镍层、电镀金层、无电镀镍化金层、浸镀银、浸镀锡或有机保护膜。

14.如权利要求1所述的无核心封装基板的制造方法,其特征在于:所述第一金属箔层、第二金属箔层及增层金属箔层的厚度分别介于10至35微米之间。

15.如权利要求1所述的无核心封装基板的制造方法,其特征在于:所述第一介电层及增层介电层的厚度分别介于30至55微米之间。

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