[发明专利]无核心封装基板的制造方法

说明书

【技术领域】

本发明是有关于一种无核心封装基板的制造方法，特别是有关于一种利用可移除式临时核心层进行增层程序的无核心封装基板的制造方法。

【背景技术】

现今，半导体封装产业为了满足各种高密度封装的需求，逐渐发展出各种不同型式的封装构造，其中常见具有基板(substrate)的封装构造包含球栅阵列封装构造(ball grid array，BGA)、针脚阵列封装构造(pin grid array，PGA)、接点阵列封装构造(land grid array，LGA)或基板上芯片封装构造(board onchip，BOC)等。在上述封装构造中，所述基板的一上表面承载有至少一芯片，并通过打线(wire bonding)或凸块(bumping)程序将芯片的数个接垫电性连接至所述基板的上表面的数个焊垫。同时，所述基板的一下表面亦必需提供大量的焊垫，以焊接数个输出端。通常，所述基板是一多层电路板，其除了在上、下表面提供表面电路层以形成所需焊垫之外，其内部亦具有至少一内电路层及数个导通孔，以重新安排上、下表面的焊垫的连接关系。因此，如何制造具有多层电路的封装用基板，亦为封装产业的一重要关键技术。

举例而言，请参照图1所示，其揭示一种现有封装基板10的构造，其中所述封装基板10是以一核心层(core layer)11为中心，并通过增层法(build-up)在所述核心层11的两侧分别向外依序形成一第一电路层12、一第一介电层13、一第二电路层14、一第二介电层15、一表面电路层16及一防焊层17。再者，在增层期间，所述核心层11另可能形成数个电镀通孔(plating throughhole)111贯穿其间，以电性连接两侧的所述第一电路层12。所述第一介电层13可能形成数个导通孔(conductive via)131贯穿其间，以电性连接所述第一及第二电路层12、14。所述第二介电层15亦可形成数个导通孔151贯穿其间，以电性连接所述第二电路层14及表面电路层16。最后，所述防焊层16形成数个开口161，以裸露一部分的所述表面电路层16，以提供数个焊垫(即图号16位置)，以便结合金属线、凸块或锡球等电性连接构造(未绘示)。

上述现有封装基板10大量应用在目前的半导体封装制造过程中。然而，为了符合半导体封装的小型化需求，因此有必要进一步设法减少所述封装基板10的整体厚度。然而，所述封装基板10在增层期间不可避免的必需使用具有足够厚度的所述核心层11，以确保能提供足够的支撑强度，及防止因热应力(thermal stress)不均匀所发生的翘曲等(warpage)缺陷。但是，使用所述核心层11却也会占用过多厚度空间，导致不利于降低所述封装基板10的整体厚度。另一方面，当整体厚度不变时，也难以通过减少所述核心层11的厚度，以将省下来的厚度空间用来增加电路层的总层数，因此使用所述核心层11亦不利于提高电路集成度。

故，有必要提供一种封装基板的制造方法，以解决现有技术所存在的问题。

【发明内容】

本发明的主要目的在于提供一种无核心封装基板的制造方法，其是利用临时核心层在增层期间提供足够支撑强度，并可在增层后移除临时核心层，进而有利于降低基板厚度及提高电路集成度。

本发明的次要目的在于提供一种无核心封装基板的制造方法，其是利用临时核心层进行增层，以同时在其两侧制做二组无核心封装基板，进而提高生产速度、降低制造成本及确保增层良率。

本发明的另一目的在于提供一种无核心封装基板的制造方法，其是利用临时核心层进行增层，临时核心层的表面具有可撕除的金属箔层，可直接转用做为无核心封装基板的表面电路层，进而简化增层程序、提高增层效率及降低备料成本。

为达上述的目的，本发明提供一种无核心封装基板的制造方法，其包含：提供一临时核心层；在所述临时核心层的二侧分别依序堆叠一第一金属箔层、一第一介电层及第二金属箔层，其中所述第一金属箔层具有一平坦表面及一粗糙表面，所述平坦表面朝向所述临时核心层，及所述粗糙表面朝向所述第一介电层；对每一所述第二金属箔层进行图案化，以分别形成一第二电路层；在每一所述第二电路层外堆叠至少一增层结构，所述增层结构包含一增层介电层及一增层金属箔层；以及，移除所述临时核心层，以得到二无核心封装基板，每一所述无核心封装基板至少包含所述第一金属箔层、第一介电层、第二电路层及至少一增层结构。

在本发明的一实施例中，在提供所述临时核心层的步骤中，所述临时核心层为含有B阶段热固性树脂的核心层。