[发明专利]半导体装置、半导体基底及其制造方法

权利要求书

1、一种半导体装置，所述半导体装置包括：

半导体基底；

栅极图案，设置在半导体基底上；

主体区，设置在栅极图案上；

第一掺杂区和第二掺杂区，其中，栅极图案设置在主体区以及第一掺杂区和第二掺杂区之下。

2、如权利要求1所述的半导体装置，其中，第一掺杂区和第二掺杂区从主体区沿向上方向突出，并且第一掺杂区和第二掺杂区以预定的间隔分开；

所述半导体装置还包括阻挡绝缘区，所述阻挡绝缘区设置在第一掺杂区和第二掺杂区之间。

3、如权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括埋置氧化物绝缘区，所述埋置氧化物绝缘区设置在半导体基底和栅极图案之间。

4、如权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括栅极绝缘区，所述栅极绝缘区设置在栅极图案和主体区之间。

5、如权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括第一绝缘区，所述第一绝缘区设置在栅极图案和主体区中的每个的两侧，其中，第一绝缘区使得栅极图案和主体区与它们的周围环境绝缘。

6、如权利要求1所述的半导体装置，其中，第一掺杂区连接到源极线和位线中的一者；

第二掺杂区连接到位线和源极线中的另一者。

7、如权利要求1所述的半导体装置，其中，半导体装置包括双极结晶体管；

栅极图案是双极结晶体管的基极区；

第一掺杂区是发射极区，第二掺杂区是集电极区，或者第一掺杂区是集电极区，第二掺杂区是发射极区。

8、如权利要求1所述的半导体装置，其中，半导体装置包括双极结晶体管；

双极结晶体管的基极区浮置。

9、如权利要求1所述的半导体装置，其中，主体区是与半导体基底分开的浮置主体区；

主体区和半导体基底由具有相同特性的材料形成。

10、一种半导体基底，所述半导体基底包括：

基底区；

埋置氧化物绝缘区，设置在基底区之上；

栅极图案，利用埋置氧化物绝缘区与基底区分开，并且设置在埋置氧化物绝缘区之上；

栅极绝缘区，设置在栅极图案上；

浮置主体区，利用栅极绝缘区与栅极图案分开，并且设置在栅极绝缘区上；

其中，基底区和浮置主体区由具有相同特性的材料形成。

11、如权利要求10所述的半导体基底，其中，基底区由体半导体基底形成。

12、如权利要求10所述的半导体基底，其中，埋置氧化物绝缘区或栅极绝缘区由硅的氧化物形成。

13、一种半导体装置，所述半导体装置包括：

半导体基底；

至少一个栅极图案，设置在半导体基底上；

至少一个主体区，设置在所述至少一个栅极图案上；

第一掺杂区和第二掺杂区，设置在所述至少一个主体区上。

14、如权利要求13所述的半导体装置，其中，第一掺杂区和第二掺杂区从所述至少一个主体区沿向上方向突出，并且第一掺杂区和第二掺杂区以预定间隔分开，

半导体装置还包括阻挡绝缘区，所述阻挡绝缘区设置在第一掺杂区和第二掺杂区之间。

15、如权利要求13所述的半导体装置，所述半导体装置还包括埋置氧化物绝缘区，所述埋置氧化物绝缘区设置在半导体基底和所述至少一个栅极图案之间。

16、如权利要求13所述的半导体装置，所述半导体装置还包括栅极绝缘区，所述栅极绝缘区设置在所述至少一个栅极图案和所述至少一个主体区之间。

17、如权利要求13所述的半导体装置，所述半导体装置还包括第一绝缘区，所述第一绝缘区设置在所述至少一个栅极图案以及设置在栅极图案上的所述至少一个主体区的两侧，其中，第一绝缘区使所述至少一个栅极图案和所述至少一个主体区与它们的周围环境绝缘。

18、如权利要求13所述的半导体装置，其中，第一掺杂区连接到源极线和位线中的一者；

第二掺杂区连接到位线和源极线中的另一者。

19、一种制造半导体基底的方法，所述方法包括以下步骤：

通过蚀刻体基底来形成至少一个浮置主体图案；

通过蚀刻在所述至少一个浮置主体图案之下的主体区域来将体基底分为基底区和浮置主体区；

在浮置主体区和基底区之间形成栅极图案。