[发明专利]发光装置和发光装置的制造方法

权利要求书

1.一种发光装置，其特征在于，包括：

发出紫外线的第1LED元件；

发出可见光的第2LED元件；

SiC荧光基板，由掺杂了B和Al之中的至少一种以及N的SiC构成，装配有所述第1LED元件和所述第2LED元件，在被所述第1LED元件发出的光激励时发出可见光；以及

箱体，由无机材料构成，并容置有所述SiC荧光基板。

2.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，

所述第1LED元件的峰值波长在408nm以下，

所述第2LED元件的峰值波长超过408nm。

3.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，

所述SiC荧光基板在所述第1LED元件和所述第2LED元件的装配面上具有以比所述第1LED元件的发光波长小的周期而形成的周期结构。

4.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，

所述箱体具有开口，

所述发光装置还具备透明构件，该透明构件设置在所述开口处且由无机材料构成，所述无机材料对于从所述第2LED元件及所述SiC荧光基板发出的光是透明的。

5.如权利要求4所述的发光装置，其特征在于，

所述透明构件截止至少一部分紫外成分。

6.如权利要求5所述的发光装置，其特征在于，

所述透明构件由掺杂了B和Al之中的至少一种以及N的SiC构成，其吸收从所述第1LED元件发出的光并发出可见光。

7.一种发光装置，其特征在于，具备：

发出紫外线的紫外LED元件；

发出蓝色光的蓝色LED元件；

发出绿色光的绿色LED元件；

发出红色光的红色LED元件；

SiC荧光基板，由掺杂了B和Al之中的至少一种以及N的SiC构成，装配有所述紫外LED元件、所述蓝色LED元件、所述绿色LED元件和所述红色LED元件，在被所述紫外LED元件发出的光激励时发出可见光；以及

箱体，由无机材料构成，并容置有所述SiC荧光基板。

8.一种发光装置，其特征在于，具备：

发出紫外线的第1LED元件；

发出可见光的第2LED元件；

SiC荧光基板，由掺杂了B和Al之中的至少一种以及N的SiC构成，装配有所述第1LED元件和所述第2LED元件，在被所述第1LED元件发出的光激励时发出可见光；以及

AuSn系合金层，将所述SiC荧光基板与所述第1LED元件及所述第2LED元件接合起来，并具有在相对于所述SiC荧光基板大致垂直的方向上延伸的柱状结晶。

9.如权利要求8所述的发光装置，其特征在于

具备箱体，该箱体由无机材料构成，并容置有所述SiC荧光基板。

10.如权利要求8所述的发光装置，其特征在于，

所述第1ED元件的峰值波长在408nm以下，

所述第2LED元件的峰值波长超过408nm。

11.如权利要求8所述的发光装置，其特征在于，

所述第2LED元件是蓝色LED元件、绿色LED元件和红色LED元件这3种LED元件。

12.一种发光装置的制造方法，其特征在于，在制造如权利要求8所述的发光装置时，包含以下工序：

Sn膜形成工序，在所述SiC荧光基板的装配面上形成Sn膜；

Au膜形成工序，在没有装配第1LED元件和第2LED元件的面上形成Au膜；

接触工序，使形成于所述第1LED元件和所述第2LED元件上的所述Au膜与形成于所述SiC荧光基板的所述装配面上的所述Sn膜的表面接触；以及

接合工序，在所述Sn膜与所述Au膜接触的状态下，在由氢气和氮气的混合气体形成的混合气体的气体环境中，对所述SiC荧光基板进行加热，使所述第1LED元件及所述第2LED元件与所述SiC荧光基板接合。

13.如权利要求12所述的发光装置的制造方法，其特征在于，

在所述接触工序中，使所述SiC荧光基板的所述装配面朝上、使没有装配所述第1LED元件和所述第21LED元件的面朝下，并将所述第1LED元件和所述第2LED元件放置于所述SiC荧光基板上，由此使所述Sn膜与所述Au膜接触；

在所述接合工序中，在将所述第1LED元件和所述第2LED元件放置于所述SiC荧光基板上的状态下，对所述SiC荧光基板进行加热，使所述第1LED元件和所述第2LED元件与所述SiC荧光基板接合。