[发明专利]非易失性存储器控制方法及半导体装置有效

专利信息
申请号: 200910151325.9 申请日: 2009-06-30
公开(公告)号: CN101645306A 公开(公告)日: 2010-02-10
发明(设计)人: 望月义则;受田贤知;盐田茂雅 申请(专利权)人: 株式会社瑞萨科技
主分类号: G11C16/06 分类号: G11C16/06
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 许海兰
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 非易失性存储器 控制 方法 半导体 装置
【权利要求书】:

1.一种非易失性存储器控制方法,是具有非易失性存储器和可 存取上述非易失性存储器的控制器的系统中的非易失性存储器控制 方法,其特征在于,

管理关于上述非易失性存储器中的全部存取对象区的存取次数 的合计值和刷新对象区,在每次对上述非易失性存储器的存取发生 时,使上述控制器执行更新对上述非易失性存储器的存取次数的合计 值,根据上述存取次数的合计值进行是否进行刷新的判别,根据该判 别对上述刷新对象区进行用于将构成上述非易失性存储器的存储单 元的阈值电压恢复到变动前的状态的再写入的刷新控制。

2.根据权利要求1所述的非易失性存储器控制方法,其特征在于,

上述控制器的刷新控制包括:

每次对上述非易失性存储器的存取发生时,取得关于上述非易失 性存储器中的全部存取对象区的存取次数的合计值的第1处理;

比较上述第1处理取得的合计值和规定的存取次数的阈值的第2 处理;

根据上述第2处理的比较结果对上述刷新对象区执行用于将上述 存储器单元的阈值电压恢复到变动前的状态的再写入的第3处理;以 及

上述第3处理后,根据需要更新上述阈值的第4处理。

3.根据权利要求1所述的非易失性存储器控制方法,其特征在于,

上述控制器的刷新控制包括:

每次对上述非易失性存储器的存取发生时,取得关于上述非易失 性存储器中的全部存取对象区的存取次数的合计值与每个存取对象 区的存取次数的差值的第5处理;

比较上述第5处理获得的差值和对上述非易失性存储器的存取次 数的阈值的第6处理;以及

根据上述第6处理求出的差值确定刷新对象区,对该刷新对象区 执行刷新用的用于将上述存储器单元的阈值电压恢复到变动前的状 态的再写入的第7处理。

4.根据权利要求1所述的非易失性存储器控制方法,其特征在于,

上述控制器的刷新的判别以及刷新控制包括:

每次对上述非易失性存储器的存取发生时,获得关于上述非易失 性存储器中的全部存取对象区的存取次数的合计值与上述非易失性 存储器中的每个存取对象区的存取次数的差值的第8处理;

取得由上述第8处理获得的差值中比针对上述非易失性存储器的 存取次数的阈值小的差值所对应的第1存取对象区的第9处理;

判别在由上述第9处理取得的第1存取对象区与不同于该第1存取 区的第2存取对象区之间,可否用物理地址替换逻辑地址的第10处理;

上述第10处理的判别中,判断为可用物理地址替换逻辑地址的场 合,在上述第1存取对象区和上述第2存取对象区之间,用物理地址替 换逻辑地址的第11处理;以及

上述第10处理的判别中,判断为不可用物理地址替换逻辑地址的 场合,根据上述第8处理获得的差值确定刷新对象区,对该刷新对象 区执行刷新用的再写入的第12处理。

5.根据权利要求4所述的非易失性存储器控制方法,其特征在于,

根据上述第8处理获得的差值确定上述第2存取对象区。

6.一种半导体装置,其特征在于,包括:

非易失性存储器;

可管理关于上述非易失性存储器中的全部存取对象区的存取次 数的合计值和刷新对象区的管理区;和

每次对上述非易失性存储器的存取发生时,执行更新对上述非易 失性存储器的存取次数的合计值,根据上述存取次数的合计值进行是 否进行刷新的判别,根据该判别结果对上述刷新对象区进行用于将上 述非易失性存储器的存储单元的阈值电压恢复到变动前的状态的再 写入的刷新控制的控制器。

7.根据权利要求6所述的半导体装置,其特征在于,

上述管理区用上述非易失性存储器中的存储区域的一部分形成。

8.根据权利要求6所述的半导体装置,其特征在于,

上述管理区在与上述非易失性存储器独立设置的半导体存储器 中形成。

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