[发明专利]非易失性存储器控制方法及半导体装置

权利要求书

1.一种非易失性存储器控制方法，是具有非易失性存储器和可 存取上述非易失性存储器的控制器的系统中的非易失性存储器控制 方法，其特征在于，

管理关于上述非易失性存储器中的全部存取对象区的存取次数 的合计值和刷新对象区，在每次对上述非易失性存储器的存取发生 时，使上述控制器执行更新对上述非易失性存储器的存取次数的合计 值，根据上述存取次数的合计值进行是否进行刷新的判别，根据该判 别对上述刷新对象区进行用于将构成上述非易失性存储器的存储单 元的阈值电压恢复到变动前的状态的再写入的刷新控制。

2.根据权利要求1所述的非易失性存储器控制方法，其特征在于，

上述控制器的刷新控制包括：

每次对上述非易失性存储器的存取发生时，取得关于上述非易失 性存储器中的全部存取对象区的存取次数的合计值的第1处理；

比较上述第1处理取得的合计值和规定的存取次数的阈值的第2 处理；

根据上述第2处理的比较结果对上述刷新对象区执行用于将上述 存储器单元的阈值电压恢复到变动前的状态的再写入的第3处理；以 及

上述第3处理后，根据需要更新上述阈值的第4处理。

3.根据权利要求1所述的非易失性存储器控制方法，其特征在于，

上述控制器的刷新控制包括：

每次对上述非易失性存储器的存取发生时，取得关于上述非易失 性存储器中的全部存取对象区的存取次数的合计值与每个存取对象 区的存取次数的差值的第5处理；

比较上述第5处理获得的差值和对上述非易失性存储器的存取次 数的阈值的第6处理；以及

根据上述第6处理求出的差值确定刷新对象区，对该刷新对象区 执行刷新用的用于将上述存储器单元的阈值电压恢复到变动前的状 态的再写入的第7处理。

4.根据权利要求1所述的非易失性存储器控制方法，其特征在于，

上述控制器的刷新的判别以及刷新控制包括：

每次对上述非易失性存储器的存取发生时，获得关于上述非易失 性存储器中的全部存取对象区的存取次数的合计值与上述非易失性 存储器中的每个存取对象区的存取次数的差值的第8处理；

取得由上述第8处理获得的差值中比针对上述非易失性存储器的 存取次数的阈值小的差值所对应的第1存取对象区的第9处理；

判别在由上述第9处理取得的第1存取对象区与不同于该第1存取 区的第2存取对象区之间，可否用物理地址替换逻辑地址的第10处理；

上述第10处理的判别中，判断为可用物理地址替换逻辑地址的场 合，在上述第1存取对象区和上述第2存取对象区之间，用物理地址替 换逻辑地址的第11处理；以及

上述第10处理的判别中，判断为不可用物理地址替换逻辑地址的 场合，根据上述第8处理获得的差值确定刷新对象区，对该刷新对象 区执行刷新用的再写入的第12处理。

5.根据权利要求4所述的非易失性存储器控制方法，其特征在于，

根据上述第8处理获得的差值确定上述第2存取对象区。

6.一种半导体装置，其特征在于，包括：

非易失性存储器；

可管理关于上述非易失性存储器中的全部存取对象区的存取次 数的合计值和刷新对象区的管理区；和

每次对上述非易失性存储器的存取发生时，执行更新对上述非易 失性存储器的存取次数的合计值，根据上述存取次数的合计值进行是 否进行刷新的判别，根据该判别结果对上述刷新对象区进行用于将上 述非易失性存储器的存储单元的阈值电压恢复到变动前的状态的再 写入的刷新控制的控制器。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，

上述管理区用上述非易失性存储器中的存储区域的一部分形成。

8.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，

上述管理区在与上述非易失性存储器独立设置的半导体存储器 中形成。