[发明专利]掺Bi碱土硼酸盐晶体及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种掺Bi碱土硼酸盐晶体，所述掺Bi碱土硼酸盐晶体中的碱土金属为Ca或Sr或 Ba，Bi离子掺杂浓度为0.1at％～6.0at％，其特征在于，掺入Bi离子的同时掺入Y³⁺或La³⁺或Zr⁴⁺或Si⁴⁺，掺入Y³⁺或La³⁺或Zr⁴+或Si⁴⁺的比例为Bi离子浓度的0.1～4.5倍。

2.如权利要求1所述的掺Bi碱土硼酸盐晶体，其特征在于，所述的Bi离子掺杂浓度 为0.1at％～5.0at％。

3.如权利要求2所述的掺Bi碱土硼酸盐晶体，其特征在于，所述的Bi离子掺杂浓度 为0.5at％～3.0at％。

4.如权利要求1-3中任一权利要求所述掺Bi碱土硼酸盐晶体的生长方法，为采用熔 体法生长，所述熔体法选自：坩埚下降法、提拉法或泡生法，晶体生长气氛采用惰性或弱 还原性气体。

5.如权利要求4所述的掺Bi碱土硼酸盐晶体的生长方法，其特征在于，所述采用熔 体法生长晶体完毕后，还需要采用高能电磁波对生长获得的掺Bi碱土硼酸盐晶体进行辐照。

6.如权利要求5所述的掺Bi碱土硼酸盐晶体的生长方法，其特征在于，所述高能电 磁波选自X射线或γ射线，所述辐照过程中，辐照剂量范围为1KGy～100KGy，剂量率为 50Gy/h～500Gy/h。

7.如权利要求6所述的掺Bi碱土硼酸盐晶体的生长方法，其特征在于，所述X射线 为波长为0.01nm～0.1nm、能量为10KeV～100KeV的硬X射线；所述γ射线为⁶⁰Coγ作为 辐照源所产生的γ射线。

8.权利要求1-3中任一权利要求所述的掺Bi碱土硼酸盐晶体在脉冲激光器、波长可 调谐激光器或超短脉冲激光器中的应用。