[发明专利]氧化亚锡多晶薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 200910152532.6 | 申请日： | 2009-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN102021519A | 公开（公告）日： | 2011-04-20 |
| 发明（设计）人： | 曹鸿涛;梁凌燕;刘志敏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
| 主分类号： | C23C14/30 | 分类号： | C23C14/30;C23C14/08;C23C14/58;H01L21/203;H01L21/324 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人： | 胡红娟 |
| 地址： | 315201 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氧化 多晶 薄膜 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.氧化亚锡多晶薄膜的制备方法，其特征在于，包括步骤：
使用电子束轰击SnO2蒸发料，使得SnO2蒸发；
将蒸发物沉积在衬底上，形成SnOx薄膜，其中1＜x＜2；
在真空环境中对所述SnOx薄膜进行退火处理，形成SnO多晶薄膜。
2.如权利要求1所述的氧化亚锡多晶薄膜的制备方法，其特征在于：所述真空环境的真空度范围为2×10-3Pa至5×10-6Pa。
3.如权利要求1所述的氧化亚锡多晶薄膜的制备方法，其特征在于：蒸发物沉积的沉积速率小于0.04nm/s。
4.如权利要求1所述的氧化亚锡多晶薄膜的制备方法，其特征在于：退火温度为400℃至650℃，退火时间为20min至40min。
5.如权利要求1所述的氧化亚锡多晶薄膜的制备方法，其特征在于：所述衬底为石英玻璃衬底或康宁公司EAGLE2000玻璃非晶衬底或单晶衬底。
6.如权利要求1所述的氧化亚锡多晶薄膜的制备方法，其特征在于：还包括清洗所述衬底的步骤。
7.如权利要求1所述的氧化亚锡多晶薄膜的制备方法，其特征在于：使用电子束轰击SnO2蒸发料和形成SnOx薄膜的步骤均在电子束蒸发镀膜设备中进行。
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