[发明专利]一种近红外反射透明导电薄膜及其制备方法

权利要求书

1.一种近红外反射透明导电薄膜，其特征是由交替沉积在衬底(1)上的金属Cu层(2)和AZO层(3)构成的多层薄膜。

2.根据权利要求1所述的近红外反射透明导电薄膜，其特征是在衬底(1)上自下而上依次沉积金属Cu层(2)和(AZO)层(3)构成的两层结构薄膜；或者是在衬底(1)上自下而上依次沉积AZO层(3)、金属Cu层(2)和AZO层(3)构成的三层结构薄膜。

3.根据权利要求1所述的近红外反射透明导电薄膜，其特征在于AZO层(3)为铝掺杂透明导电膜，AZO层(3)中金属元素的摩尔百分比含量为：

铝    1～5％

余量为Zn，金属元素的含量之和为100％，(Zn+Al)与O的摩尔数之比为1∶1。

4.根据权利要求1所述的近红外反射透明导电薄膜，其特征在于金属Cu层(2)为纯Cu或Cu基合金，金属Cu层的厚度为1～30nm。

5.根据权利要求1所述的近红外反射透明导电薄膜，其特征在于ZnO层(3)的厚度为30～300nm。

6.权利要求1所述的近红外反射透明导电薄膜的制备方法，其特征在于步骤如下：

1)AZO层的制备：

将衬底放入磁控溅射装置的反应室中，反应室真空度抽到至少5×10^-3Pa，以Al摩尔百分含量为1～5％的(Zn+Al)合金为靶材，以纯Ar和纯O₂作为溅射气体输入反应室，采用直流反应磁控溅射沉积AZO层，溅射气体的流量比Ar∶O₂＝2∶1～15∶1，气体压强为0.5～4.0Pa，溅射功率50～200W，衬底温度为常温；

2)金属Cu层的制备：

将衬底放入磁控溅射装置的反应室中，反应室真空度抽到至少5×10^-3Pa，以Cu或Cu的合金为靶材，以纯Ar作为溅射气体输入反应室，采用直流反应磁控溅射沉积金属Cu层，气体压强为0.5～4.0Pa，溅射功率50～200W，衬底温度为常温。

7.根据权利要求6所述的近红外反射透明导电薄膜的制备方法，其特征在于进一步包括将沉积有金属Cu层和AZO层的薄膜在真空、氮气或大气环境条件下进行退火，退火时间为0.5～2小时，温度为100～600℃。