[发明专利]一种恶臭假单胞菌株及其在制备羟基乙酸中的应用无效
申请号: | 200910154126.3 | 申请日: | 2009-11-05 |
公开(公告)号: | CN101705196A | 公开(公告)日: | 2010-05-12 |
发明(设计)人: | 林春娇;杨立荣;吴坚平;徐刚 | 申请(专利权)人: | 浙江大学 |
主分类号: | C12N1/20 | 分类号: | C12N1/20;C12P7/42;C12R1/40 |
代理公司: | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人: | 林怀禹 |
地址: | 310027 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 恶臭 假单胞 菌株 及其 制备 羟基 乙酸 中的 应用 | ||
1.一种恶臭假单胞菌株,其特征是:该菌株命名为恶臭假单胞菌(Pseudomonas putida) CA15,菌种保藏号为CGMCC No. 3267。
2.一种权利要求1的恶臭假单胞菌株作为生物催化剂的应用,其特征是:该恶臭假单胞菌用于制备羟基乙酸。
3.一种使用权利要求1的恶臭假单胞菌株制备羟基乙酸的方法,其特征是包括如下步骤:
(1)添加诱导剂对恶臭假单胞菌CA15进行诱导培养,离心获得细胞或者在获得细胞后进一步经过破胞提取粗酶;
(2)以获得的静息细胞或者粗酶液为催化剂,在缓冲溶液中添加氯乙酸盐作为底物进行反应,然后从反应液中收集羟基乙酸。
4.如权利要求3所述的制备羟基乙酸的方法,其特征是在步骤(1)中,所述诱导培养的培养条件如下:所述诱导剂为10~70mM的氯乙酸钠;培养温度为20~50℃。
5.如权利要求4所述的制备羟基乙酸的方法,其特征是:所述培养温度为25~40℃。
6.如权利要求3或4所述的制备羟基乙酸的方法,其特征是:在进行诱导培养时还添加辅助碳源,所述辅助碳源为0.5~10g/L的蔗糖或甘油。
7.如权利要求3或4所述的制备羟基乙酸的方法,其特征是:在步骤(2)中,所述缓冲溶液的pH为5~11,反应温度为20~50℃。
8.如权利要求7所述的制备羟基乙酸的方法,其特征是:所述缓冲溶液的pH为8~10,反应温度为25~35℃。
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