[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

半导体基板，其具有单元区域以及核心和外围区域；

栅极，其形成于所述半导体基板的所述核心和外围区域中；

形成于所述栅极的第一侧的第一接面区域和形成于所述栅极的 第二侧的第二接面区域；

第一位线，其形成于所述栅极上方并与所述第一接面区域电连 接；

第一金属插塞，其形成为与所述第二接面区域电连接，所述第 一金属插塞在两个相邻位线之间延伸，所述两个相邻位线分别为第二 位线和第三位线；

位线触点插塞，其设置在所述第一接面区域与所述第一位线之 间并且使所述第一接面区域与所述第一位线电连接；以及

第二金属插塞，其位于所述第一金属插塞上方并且与所述第一 金属插塞和金属线电连接，

其中，所述金属线形成于所述第二金属插塞上方并且与所述第 一位线至所述第三位线垂直地延伸，

所述第一位线至所述第三位线由具有一致的宽度和间隔的线条 图案形成。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

所述第二接面区域是源极接面区域或所述栅极。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

所述第一金属插塞的上部与所述第二位线和所述第三位线的至 少一部分重叠。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

所述第一金属插塞包含钨(W)、或铝(Al)、或铜(Cu)、 或这些金属的合金。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

所述第一金属插塞和所述第二金属插塞包含的材料彼此不同，

所述第二金属插塞是金属线触点插塞。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

第一绝缘层，其形成于所述栅极上方；

第二绝缘层，其形成于所述第一位线至所述第三位线上方；以 及

第三绝缘层，其形成于所述第二绝缘层上方，

其中，所述第一金属插塞穿过所述第一绝缘层和所述第二绝缘 层延伸，所述第二金属插塞穿过所述第三绝缘层延伸。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，

所述第一金属插塞和所述位线触点插塞包含的材料是相同的。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，

所述第二金属插塞包含钨(W)、或铝(Al)、或铜(Cu)、 或这些金属的合金。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

形成于所述第一金属插塞与所述第二接面区域之间的硅化物 膜。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

所述第一金属插塞的上部的横截面尺寸大于所述第一金属插塞 的下部的横截面尺寸。