[发明专利]晶圆的研磨方法

说明书

【技术领域】

本发明是涉及一种晶圆的研磨方法，且特别是涉及一种使晶圆薄化及平坦化的晶圆的研磨方法。

【背景技术】

半导体元件制造技术通常通过一系列的加工程序，例如晶圆制造、结构布局及封装程序。其中，结构布局是在晶圆的表面形成集成电路(integrated circuit)或微机电系统(micro-electric mechanic system，MEMS)的结构。在结构布局程序结束进行封装程序时，通常晶圆首先进行研磨加工，将已布局的晶圆的厚度薄化，之后切割晶圆形成所需的芯片再接续之后的封装程序。

然而在结构布局的程序中，晶圆难免会受到损伤或破坏，形成具有表面裂纹的晶圆甚至是破片的晶圆。这些晶圆的表面裂纹或是破片的边缘在研磨加工时，易造成应力集中的现象，使晶圆形成更多的缺损，因而降低良率。

另外，在一些特殊的情况下，晶圆的背表面会具有不平整表面。此种晶圆在研磨时，亦会产生应力集中的现象造成晶圆损坏。此外，此种晶圆的厚度更因表面不平整而无法准确测得，导致研磨过程不易控制。因此，如何有效地研磨缺损或具有不平整表面的晶圆，乃目前业界致力研究发展的方向之一。

因此，有必要提供一种晶圆的研磨方法，以解决现有技术所存在的问题。

【发明内容】

本发明的主要目的是提供一种晶圆的研磨方法，通过提供一胶层覆盖晶圆待研磨的表面，避免晶圆在研磨时因应力集中而被破坏。

为达上述目的，本发明提供一种晶圆的研磨方法。首先，提供一晶圆，晶圆具有至少一裂纹，裂纹于晶圆的一第一表面具有一开口。其次，覆盖一胶层于晶圆的表面及裂纹中。接着，研磨胶层直至移除晶圆一厚度。而后，移除胶层。

根据本发明，另提出一种晶圆的研磨方法。首先，提供一晶圆，晶圆的背表面具有一不平整表面。其次，覆盖一胶层于晶圆的不平整表面上。接着，研磨胶层直至移除晶圆一厚度。而后，移除胶层。

相较于现有晶圆的研磨方法，本发明通过提供一胶层覆盖晶圆待研磨的表面，避免晶圆在研磨时因应力集中而被破坏。

【附图说明】

图1绘示依照本发明第一实施例晶圆的研磨方法的流程图。

图2绘示依照本发明第一实施例的具有裂纹的晶圆的俯视图。

图3A至3J分别绘示图2的晶圆应用于本发明第一实施例的研磨方法各步骤的沿A-A’线段截面的剖面图。

图4绘示依照本发明第二实施例的具有裂纹的晶圆的俯视图。

图5A至5F分别绘示图4的晶圆应用于本发明第二实施例的研磨方法各步骤的沿B-B’线段截面的剖面图。

图6绘示依照本发明第三实施例晶圆的研磨方法的流程图。

图7A至7F分别绘示应用本发明第三实施例的研磨方法的各步骤的晶圆的剖面图。

【具体实施方式】

为让本发明上述目的、特征及优点更明显易懂，下文特举本发明较佳实施例，并配合附图，作详细说明如下：

第一实施例

请参照图1，其绘示依照本发明第一实施例晶圆的研磨方法的流程图。本发明第一实施例晶圆的研磨方法主要包括下述步骤：首先，如步骤S110所示，提供一晶圆，晶圆具有至少一裂纹，裂纹于晶圆的一表面具有一开口；接着，如步骤S130所示，覆盖一胶层于晶圆的表面及裂纹中；其次，进行步骤S150，研磨胶层直至移除晶圆的一厚度；而后，于步骤S170中，移除胶层。根据本发明第一实施例晶圆的研磨方法，可避免具有裂纹的晶圆在研磨时遭受破坏。以下将针对各步骤配合图示做详细地说明。

请同时参照图2及图3A至3J，图2绘示依照本发明第一实施例的具有裂纹的晶圆的俯视图，图3A至3J分别绘示图2的晶圆应用于本发明第一实施例的研磨方法各步骤的沿A-A’线段截面的剖面图。

如图2及图3A所示，在步骤S110中，提供晶圆10，晶圆10是一受损晶圆。例如晶圆10在形成集成电路时，或在搬运过程中受到不当的处理而有缺损。缺损的晶圆10具有至少一裂纹11，裂纹11在晶圆10的一第一表面13上具有一开口H10。其中，晶圆10的一第二表面17是相对于第一表面13。在本实施例中，裂纹11是未延伸至晶圆10的第二表面17，如图3A所示。然可应用本实施例的研磨方法缺损的晶圆10并非限制于此，其裂纹11贯穿整个晶圆10到达第二表面17，亦或是裂纹11仅停留在晶圆10的截面的一深度者，均可应用于此。