[发明专利]非原位组件恢复无效
申请号: | 200910158966.7 | 申请日: | 2009-07-10 |
公开(公告)号: | CN101635254A | 公开(公告)日: | 2010-01-27 |
发明(设计)人: | 达尔文·恩尼克斯 | 申请(专利权)人: | 爱特梅尔公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 孟 锐 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 原位 组件 恢复 | ||
1、一种非原位恢复系统,其包括:
组件室,其用以接纳处理系统的组件,所述组件室具有用以接纳吹扫气体源的第 一吹扫气体入口;
坞站,其用以接纳到所述处理系统的所述组件的连接,所述坞站具有用以接纳所 述吹扫气体源的第二吹扫气体入口;及
涡轮分子泵,其耦合到所述组件室及所述坞站以向所述组件室及所述坞站施加第 一真空压力。
2、如权利要求1所述的非原位恢复系统,其进一步包括耦合到所述组件室及所 述坞站以施加第二真空压力的低温泵。
3、如权利要求2所述的非原位恢复系统,其进一步包括连接到所述低温泵及所 述涡轮分子泵以将所述低温泵及所述涡轮分子泵选择性地耦合到所述组件室及所述坞 站的泵选择器。
4、如权利要求3所述的非原位恢复系统,其进一步包括耦合到所述泵选择器以 控制所述低温泵及所述涡轮分子泵的所述选择性耦合的处理装置。
5、如权利要求3所述的非原位恢复系统,其中所述泵选择器包括旁通阀。
6、如权利要求1所述的非原位恢复系统,其进一步包括:
第一节流阀,其耦合到所述涡轮分子泵及所述组件室以控制施加到所述组件室的 所述真空压力;及
第二节流阀,其耦合到所述涡轮分子泵及所述坞站以控制施加到所述坞站的所述 真空压力。
7、如权利要求1所述的非原位恢复系统,其中所述非原位恢复系统独立于所述 处理系统。
8、如权利要求1所述的非原位恢复系统,其中所述组件室包括加热式真空室。
9、如权利要求1所述的非原位恢复系统,其进一步包括耦合到所述组件室以确 定所述组件室中的压力的压力传感器。
10、如权利要求1所述的非原位恢复系统,其进一步包括耦合到所述坞站以确定 所述坞站中的压力的压力传感器。
11、如权利要求1所述的非原位恢复系统,其中所述吹扫气体为氩气或氮气。
12、一种非原位恢复系统,其包括:
组件室,其具有第一泵端口;
坞站,其具有耦合到所述第一泵端口的第二泵端口;
低温泵,其具有耦合到所述第一泵端口及所述第二泵端口的入口且具有出口;
涡轮分子泵,其耦合到所述出口;及
泵选择器,其具有耦合到所述第一泵端口、所述第二泵端口及所述入口的第一端 且具有耦合到所述出口的第二端。
13、一种方法,其包括:
在独立于处理系统的恢复系统中接纳所述处理系统的组件;
向所述恢复系统施加真空压力以从所述组件中抽取污染物;
用吹扫气体从所述恢复系统吹扫所述污染物以将所述污染物从所述恢复系统中 去除;且
其中执行所述施加及吹扫直到满足对应于界定的污染物水平的阈值升压速率。
14、如权利要求13所述的方法,其进一步包括:
用所述组件重建所述处理系统;及
基于第二升压速率确定所述处理系统是否可供用于进行处理。
15、如权利要求13所述的方法,其中施加真空压力包括选择性地啮合第一泵及 第二泵以向所述恢复系统施加真空压力。
16、如权利要求15所述的方法,其中所述第一泵是涡轮分子泵且所述第二泵是 低温泵。
17、如权利要求13所述的方法,其进一步包括将所述恢复系统加热到界定的温 度。
18、如权利要求13所述的方法,其中所述处理系统包括半导体反应器。
19、如权利要求13所述的方法,其中所述恢复系统包括加热式真空室。
20、如权利要求19所述的方法,其中所述恢复系统进一步包括组件坞站。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于爱特梅尔公司,未经爱特梅尔公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910158966.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:具有电磁干扰防护体的半导体封装件及其形成方法
- 下一篇:安全启动开关
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造