[发明专利]非原位组件恢复无效
申请号: | 200910158966.7 | 申请日: | 2009-07-10 |
公开(公告)号: | CN101635254A | 公开(公告)日: | 2010-01-27 |
发明(设计)人: | 达尔文·恩尼克斯 | 申请(专利权)人: | 爱特梅尔公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 孟 锐 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 原位 组件 恢复 | ||
技术领域
本发明涉及非原位组件恢复。
背景技术
半导体是在高度控制的环境下制造的。未经控制或隔离的污染物可能会降低半导 体制造过程的产率。类似地,污染物可导致用以制造半导体的处理设备(反应器)中 的失败。污染物(例如水、氧气、空气等)可从所述处理设备周围的空气中被引入到 所述处理设备。污染物还可作为处理本身的副产物而被引入到处理设备。这些污染物 可通过(例如)吸收、吸附或沉积而累积在处理设备的组件上。污染物在处理设备的 组件上累积可干扰处理设备的正常操作,且也导致较低质量的半导体。
可实施若干过程以减少其中制造半导体装置的处理设备的组件中(或上)存在的 污染物。例如,可通过对处理设备的组件进行清洗、替换或者故障排查(例如识别泄 露)来维护处理设备的组件。在将处理设备重新投入使用之前,可通过解吸附或除气 以去除污染物来恢复(例如修复到操作条件)所述组件。例如,可原位地(例如在处 理设备中)对所述组件进行除气。然而,当在原位从组件对污染物进行解吸附或除气 时,处理设备不可用于制造。
发明内容
本文中揭示用于非原位组件恢复的装置、方法及系统。可通过在恢复系统中而不 是在处理系统本身中对处理系统的组件进行解吸附或除气来执行所述非原位恢复。所 述恢复系统可包含坞站及/或加热式真空室。可使用所述加热式真空室来对将被定位于 处理系统内部的组件进行解吸附或除气,同时可使用所述坞站来对将被连接到处理系 统的组件进行解吸附或除气。可由恢复系统将所述处理系统组件置于减小的压力下以 对污染物进行解吸附或除气并去除虚漏。所述恢复系统可包含真空粗抽泵、涡轮分子 泵及/或低温泵以达到对组件进行解吸附或除气所必需的压力。
实施方案可包含以下特征及/或优点中的一者或一者以上。所述处理系统在从处理 系统组件中对污染物进行解吸附或除气期间可保持可用于制造。由于在处理系统重建 之前对用以重建所述处理系统的组件进行解吸附或除气,因此故障排查得以简化且制 造质量得以提高。可以少于原位恢复的时间来执行对用在非原位恢复系统中恢复的组 件来重建的处理系统的升压速率测试。通过减少非原位恢复期间的处理系统停机时间 来增加制造产量。
本发明中描述的标的物的一个或一个以上实施例的细节阐述于以下附图及说明 书中。所述标的物的其它特征、方面及优点将根据说明书、图式及权利要求书而变得 显而易见。
附图说明
图1是实例性非原位恢复系统的方块图。
图2是实例性组件室的方块图。
图3是实例性坞站的方块图。
图4是非原位组件恢复的实例性过程的流程图。
各种图式中的相同参考编号及名称指示相同元件。
具体实施方式
可通过执行处理系统组件的非原位恢复来增加制造产量。可通过在恢复系统中从 处理系统的组件对污染物(例如水分、氧气、空气等)进行解吸附、除气或者去除来 执行非原位恢复。在某些实施方案中,所述恢复系统可独立于处理系统本身(例如与 其分离)。所述恢复系统可包含坞站及/或加热式真空室。可使用所述加热式真空室来 对可位于(例如)处理系统内部的组件(例如转台)进行解吸附或除气,同时可使用 所述坞站来对可连接到(例如)处理系统的组件(例如阀)进行解吸附或除气。可由 恢复系统将处理系统组件置于压力下以对污染物进行解吸附或除气并去除虚漏(例如 经物理捕获的污染物)。所述恢复系统可包含真空粗抽泵、涡轮分子泵及/或低温泵以 达到用以促进对组件进行解吸附、除气或其它净化的压力。
例如,可恢复所述组件直到在所述室或坞站的空气中检测到的污染物减少到界定 的浓度。可基于升压速率测试来确定污染物的浓度。升压速率测试是闭合系统压力随 时间而增加的测量。污染物的浓度还可通过使用(例如)残余气体分析器检测及识别 每一个别污染物来确定。
可使用已恢复(例如已净化)的组件来重建所述处理系统。可执行升压速率测试 来确保处理系统可供用于进行处理。如果处理系统未通过升压速率测试,则可对处理 系统执行故障排查。可在不对组件进行额外的解吸附或除气的情况下执行所述故障排 查,因为组件已被净化且已个别地通过升压速率测试及/或残余气体分析。当系统通过 升压速率测试时,可将系统重新投入使用。
§1.0实例性非原位恢复系统
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造