[发明专利]高压半导体元件之间的深沟槽结构及其制造方法

权利要求书

1.一种高压半导体元件之间的深沟槽结构，其特征在于，所述的深沟槽结构包括：

一半导体基底；

一多条相交的深沟槽隔离物设置于所述半导体基底中，定义出多个高压半导体元件区域；以及

一岛状物设置于两条深沟槽隔离物的交截中心处；

其中所述两条相交的深沟槽隔离物具有钝角的斜边。

2.如权利要求1所述的高压半导体元件之间的深沟槽结构，其特征在于，所述岛状物包括一八边形结构或一四边形结构。

3.如权利要求1所述的高压半导体元件之间的深沟槽结构，其特征在于，所述钝角的斜边与所述岛状物的一斜边为相互平行。

4.如权利要求1所述的高压半导体元件之间的深沟槽结构，其特征在于，所述岛状物为电性接地。

5.一种高压半导体元件之间的深沟槽结构，其特征在于，所述的深沟槽结构包括：

一半导体基底；

一多条相交的深沟槽隔离物设置于所述半导体基底中，定义出多个高压半导体元件；以及

一多边形岛状物设置于两条深沟槽隔离物的交截中心处；

其中所述两条相交的深沟槽隔离物具有钝角的斜边；

其中所述钝角的斜边与所述多边形结构的斜边之间距离为第一宽度，各深沟槽隔离物具有第二宽度，其中所述第一宽度和所述第二宽度之间的比值范围介于0.3～0.9。

6.如权利要求5所述的高压半导体元件之间的深沟槽结构，其特征在于，所述多边形岛状物包括一八边形结构或一四边形结构。

7.如权利要求5所述的高压半导体元件之间的深沟槽结构，其特征在于，所述钝角的斜边与所述多边形岛状物的所述斜边为相互平行。

8.如权利要求5所述的高压半导体元件之间的深沟槽结构，其特征在于，所述多边形岛状物为电性接地。

9.一种高压半导体元件之间的深沟槽结构的制造方法，其特征在于，所述的制造方法包括：

提供一半导体基底；

形成多条相交的深沟槽于所述半导体基底中，定义出多个高压半导体元件区域，其中一多边形岛状物形成于两条深沟槽的交截中心处；以及

填入隔离材料于所述多条深沟槽并将其回刻蚀，以形成一深沟槽隔离物；

其中所述两条相交的深沟槽具有钝角的斜边；

其中所述钝角的斜边与所述多边形结构的斜边之间距离为第一宽度，各深沟槽具有第二宽度，其中所述第一宽度和所述第二宽度之间的比值范围介于0.3～0.9。

10.如权利要求9所述的高压半导体元件之间的深沟槽结构的制造方法，其特征在于，所述多边形岛状物包括一八边形结构或一四边形结构。

11.如权利要求9所述的高压半导体元件之间的深沟槽结构的制造方法，其特征在于，所述深沟槽隔离物包括多晶硅、氧化硅、氮化硅或其他绝缘材料。