[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200910159264.0 | 申请日： | 2009-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN101645459A | 公开（公告）日： | 2010-02-10 |
| 发明（设计）人： | 保积宏纪;佐佐木有司;柳川周作 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L27/088;H01L21/336;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 宋 鹤;南 霆 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件，包括：
第一导电类型的第一半导体区域，布置在第一电极侧；
第二半导体区域，具有所述第一导电类型的第一柱区和第二导电类型的第二柱区，其中所述第一柱区和所述第二柱区成对地沿第二电极侧的表面交替设置，所述第二电极布置在与所述第一半导体区域的所述第一电极相反的一侧；
所述第二导电类型的第三半导体区域，形成在所述第二半导体区域的所述第二电极侧的表面部分上；
所述第一导电类型的第四半导体区域，形成在所述第三半导体区域的一部分表面上以与所述第二电极相连接；以及
控制电极，各自隔着绝缘膜设在沟槽内，所述沟槽的侧壁被形成为与所述第三半导体区域和所述第四半导体区域中的每一个相接触，其中，
所述第二柱区是通过外延生长而在所述第二半导体区域中所形成的各个所述沟槽中填充所述第二导电类型的半导体而形成的，并且在同一方向上以条带形状布置在元件部分中，所述元件部分中布置有所述第三半导体区域和所述第四半导体区域，
所述第一柱区被形成为各自被夹在每两个第二柱区之间的区域，并且
所述控制电极被以条带形状布置，从而与所述第二柱区的条带的纵向成45°角而相交。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，
所述第二柱区在同一深度位置沿布置方向宽度彼此相同，布置节距彼此相同；并且
所述控制电极在同一深度位置沿布置方向宽度彼此相同，布置节距彼此相同。
3.一种半导体器件，包括：
第一导电类型的第一半导体区域，布置在第一电极侧；
第二半导体区域，具有所述第一导电类型的第一柱区和第二导电类型的第二柱区，其中所述第一柱区和所述第二柱区成对地沿第二电极侧的表面交替设置，所述第二电极布置在与所述第一半导体区域的所述第一电极相反的一侧；
所述第二导电类型的第三半导体区域，形成在所述第二半导体区域的所述第二电极侧的表面部分上；
所述第一导电类型的第四半导体区域，形成在所述第三半导体区域的一部分表面上以与所述第二电极相连接；以及
控制电极，各自隔着绝缘膜设在沟槽内，所述沟槽的侧壁被形成为与所述第三半导体区域和所述第四半导体区域中的每一个相接触，其中，
所述第二柱区是通过外延生长而在所述第二半导体区域中所形成的各个所述沟槽中填充所述第二导电类型的半导体而形成的，并且在同一方向上以条带形状布置在元件部分中，所述元件部分中布置有所述第三半导体区域和所述第四半导体区域，
所述第一柱区被形成为各自被夹在每两个第二柱区之间的区域，
构成所述第二柱区的各个所述沟槽被形成为使得在各个所述沟槽的侧壁中出现(110)面取向，并且
构成所述控制电极的各个所述沟槽被形成为使得在各个所述沟槽的侧壁中出现(100)面取向。
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，各个所述控制电极具有第一条带状布置和第二条带状布置，所述第一条带状布置被以条带形状布置成与所述第二柱区的条带的纵向沿顺时针成45°角而相交，并且所述第二条带状布置被以条带形状布置成与所述第二柱区的条带的纵向沿逆时针成45°角而相交。
5.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，
所述第二柱区在同一深度位置沿布置方向宽度彼此相同，布置节距彼此相同；并且
所述控制电极在同一深度位置沿布置方向宽度彼此相同，布置节距彼此相同。
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